宽带隙立方氮化薄膜的制备与掺杂研究.pdf

摘要 摘要 boron 立方氮化硼(Cubicnitride，cBN)是具有优异物理化学性质的超硬材 料和宽带隙半导体材料。它的硬度和热导率仅次于金刚石，高温抗氧化能力强， 而且对铁族金属有良好的化学惰性，所以cBN是优良的刀具、磨具材料，高温 高压方法生产的cBN单晶颗粒已经在机加工行业得到重要应用。立方氮化硼更 诱人的应用潜力来自半导体属性。它具有最宽的禁带宽度(E产6．3-t-0．2eV)，可 以实现P型和n型掺杂，以及与金刚石相近的机械性能，这些对于制造高温、大 功率、抗辐射和用于恶劣环境工作的电力电子器件及短波长光发射及探测极有意 义，立方氮化硼因此格外引入注目。 由于高温高压方法只能制备出尺寸微小的cBN晶粒，而在制作刀具涂层以 及电学、热学、光学器件等方面，需要用到大面积的cBN，高温高压还难以满足 这些需要。随着薄膜科学与技术迅速发展，人们对低成本制备大面积cBN薄膜 产生了极大兴趣，纷纷展开相关研究，以充分发挥cBN的优异性能。本文的工 作从这一背景出发，包括cBN薄膜制备和掺杂两大部分，获得了外延生长的高 质量cBN薄膜，并实现了薄膜的P型和n型掺杂。 薄膜制备采用了三种系统：射频溅射系统(RF sputtering)，射频磁控溅射系 频溅射系统制备cBN薄膜时，衬底偏压和衬底温度的影响。确定了立方相形成 制备出立方相含量最高为76％的cBN薄膜。另外，采用射频溅射系统研究了两 步法沉积eBN薄膜。结果显示，两步法和一步法得到的薄膜中立方相含量相近， 但两步法制备的薄膜内应力较小，粘附性较高，可在较长时间内不剥落。对该射 频溅射系统进行分析后，认为它用于eBN薄膜制备存在明显不足，如衬底温度 有限(≤500℃)，极限真空有限(一104Pa／10由Torr)。射频匹配网络和真空系统 不够稳定。这些问题影响了薄膜质量的进一步提高，制备重复性也受到影响。 射频磁控溅射系统和ECR-CVD系统制备eBN薄膜表明，由于这两种系统 有较好的性能，可以采用更优化的制备条件，在硅衬底上沉积了更高质量的cBN 薄膜。其中ECR-CVD结合氟化学机制更是大幅提高了cBN薄膜的质量。氟对 非立方相有选择性刻蚀作用，使得立方相的形核和生长可以在更低偏压下进行， 因此可以提高立方相含量，并降低薄膜应力，薄膜的结晶度和厚度可大大提高， 薄膜可用Raman和XRD进行有效表征，由此能估算出薄膜内的晶粒尺寸。 为了进一步提高cBN薄膜质量，采用了与cBN晶格匹配良好的金刚石薄膜 延cBN薄膜。金刚石薄膜由微波CVD制备。高分辩透射电镜观测表明在金刚石 摘要 衬底上生长的cBN薄膜具有明显的外延生长特征。立方氮化硼直接生长于金刚 石上，中间没有aBN／tBN的孕育层，cBN与金刚石衬底结合牢固，不会剥落。 其中ECR．CVD系统又明显优于磁控溅射系统。前者制备的多晶cBN薄膜有更 好的结晶度，薄膜厚度可达数微米，对实现cBN薄膜的电学和机械应用有重要 意义。 的机理。对磁控溅射系统制备的cBN薄膜表面微结构进行分析，说明其中的立 方相是在表面以下成核、生长的，符合亚注入模型的生长机制。ECR-CVD制备 cBN薄膜是表面生长，原因是在生长过程中有氟化学作用。后者由于可以显著提 高薄膜质量，对应用而言更有希望。 对cBN薄膜进行了离子注入掺杂，以铍(Be)和硫(S)作为掺杂剂，分别 获得了cBN薄膜的P型和n型掺杂。本部分工作在国际上具有一定开创性。 对射频溅射系统制备的本征cBN薄膜采用Be离子注入，结合高温热退火处 理，使薄膜电阻率下降6个数量级。霍尔效应测试表明薄膜呈P型导电，迁移率 cm弓。在n型硅片上制备cBN薄膜， 为l钆28cm2／V·s，载流子浓度1019～1020 用Be离子注入进行P型掺杂，得到了p-BN／n．Si异质结。该异质结有明显的整 流特性，整流比约为200。由于薄膜内存在浅能级陷阱，表面I-v测试反映有空 间电荷限制电流存在。异质结正向特性拟合方程与Anderson异质结模型和理想 二极管正向特性近似，它们的差异说明该异质结的传输机制不是扩散机制。 进行Be和S离子注