氧化铟纳米材料制备与气敏性能研究.pdfVIP

摘摘 要要 摘摘 要要 用水热法 溶剂热法合成了分散均匀的方块形和针形氧化铟纳米材料 并对这些 材料进行了结构表征 考察了添加剂 反应温度 时间等因素对合成材料结构及形貌 的影响 对氧化铟纳米材料的生长机理进行了探讨 将所制得的氧化铟纳米材料按照 旁热式工艺制备成气敏元件并测试了其气敏性能 通过TPD XPS 以及气敏催化氧化 电阻测试等研究了氧化铟气体传感器的敏感机理 比较了化学沉淀法球形 水热法方 块形 溶剂热控制水解法针形氧化铟材料的气敏性能 探讨了气敏材料结构 形态与 气敏性能的关系 具体内容包括 一 纳米In2O3 的水热法制备及气敏性能研究 1 InCl ·4H O 24 以 3 2 为原料 添加一定的表面活性剂 在适当温度下水热反应 小时 - TG-DSC In(OH) 得氧化铟的前躯体 前驱体经热重 差示扫描量热法 分析确定为 3 与XRD 结果一致 In(OH)3 经过煅烧可得到方块形立方晶的氧化铟 制得样品的粒 径大约为50nm 左右 2 将制备的纳米 In O 粉体制成旁热式气敏元件 通过检测元件电阻与加热温度的关 2 3 系 得知 In O 为氧吸附型表面控制气敏材料 元件的适宜工作温度为 150-350 2 3 根据敏感性能确定的最佳制备工艺条件为 水热反应温度 250 助剂 十二烷基 苯磺酸钠 3 研究了元件的煅烧温度 敏感膜厚度对气敏性能的影响 根据不同温度下元件对90# 汽油 93# 乙醇汽油 90# 乙醇汽油 97# 汽油 氨气 苯 甲苯 H S 乙醇 液化 2 气 HCHO 16 发现600煅烧的元件气敏性能最好 等 种气体的灵敏度测试结果 氧化铟元件的膜厚小时对50ppm H S 的电阻灵敏度高 H S 的检测的最佳工作电压 2 2 为5.0V 相当于275 4 对比了不同形貌氧化铟的气敏性能 包括水热法方块形 化学沉淀法球形以及溶剂 热控制水解法针形氧化铟 发现方块状材料的气敏性能明显优于球形和针形元件的 气敏性能 二 纳米In2O3 的溶剂热法制备及气敏性能研究 1 以 InCl ·4H O 为原料 以乙醇为溶剂 添加一定的表面活性剂 在适当温度下反 3 2 24 XRD 应 小时 得到氧化铟前躯体材料 前驱体经 表征后发现为体心立方晶的氧 化铟 属一步合成 600煅烧后仍然为体心立方晶的氧化铟 煅烧前后的样品粒径 变化较小 大约为25nm I 2 将制备的纳米 In O 粉体制成旁热式气敏元件 通过检测元件电阻与加热温度的关 2 3 系 确定In O 为氧吸附型表面控制气敏材料 材料的适宜工作温度为150-350 2 3 3 比较了不同煅烧温度元件的气敏性能 根据纳米In O 气敏元件在不同温度下对90#