利用高分辨X射衍射仪表征GaNAllt;,2gt;Olt;,3gt;薄膜结构特性.pdfVIP

南昌大学硕士论文 摘 要 近年来，尽管GaN基光电子材料和器件得到迅猛发展，但对材料本身的研 究还很不充分，GaN基材料生长和性能研究方面还需做大量工作，仍存在一些 影响产业化的问题急需解决。目前氮化镓材料中位错的研究吸引了众多学者的极 大关注。国内外许多研究小组利用透射电子显微术和X射线衍射对GaN薄膜位 错的研究集中在用不同的测试方法对位错密度的分析，但通过这些方法表征的位 错密度与器件发光性能存在矛盾。 鉴于此，本论文在系统总结了常用于研究和表征薄膜的方法的优缺点的基础 常规晶体结构的表征，对外延层的相组成、真实衍射峰的位置、准确晶格参数、 外延层和衬底晶轴取向关系、外延片在应力作用下的弯曲半径及应力大小进行了 讨论；并利用倾斜对称法和掠入射、掠出射分析技术考察了样品的半高宽和位错 密度，结合样品的发光性能，进一步了解位错密度与发光性能的关系。在这些系 统、细致的实验基础上，总结出了与样品发光性能一致的表征位错密度的掠入射 方法。这种表征方法的明确，不仅有利于进一步了解薄膜的位错密度的分布，对 实际生产也有指导意义。论文的主要内容与结论如下： 的最强特征衍射峰，表明所研究的GaN薄膜都为纤锌矿六方结构，沿C轴择优 取向，且薄膜与衬底之间在(00．1)方向上并未形成很好的取向关系，存在着取 向偏差。消除仪器零点误差，对测量数据进行修正得到的六个样品的C轴晶格 常数与标准值c--0．5185nm比较，相差甚小，且都稍大于标准值，表明样品皆受 压应变。 2、采用高分辨X射线高强衍射模式，以衬底衍射峰为参考，探讨了测量外 延膜准确晶格常数的方法。认为必须考虑外延层和衬底间取向偏差在测量中引入 的叠加效应，并予以消除。测试得到GaN外延层晶体的a方向晶格常数小于、 而C方向晶格常数大于自由状态下体单晶的晶格常数，说明外延层处于压应力状 态。压应力主要来源于晶格失配和热失配。 南昌大学硕士论文 3、采用高分辨X射线高强衍射模式分析了A1203衬底上生长的GaN外延层 的取向偏差。GaN外延层和蓝宝石衬底在应力和切割倾角的作用下产生了偏角， 偏角的方向继承了衬底的切割倾角方向，但角度值小于切割倾角O．2。。 前四个样品oD／20的半高宽都小于200”，表明GaN薄膜由非均匀应变引起的晶格 常数变化效应较小，衍射峰的加宽主要是来自于薄膜取向导致的镶嵌结构。 5、样品巾扫描图谱中只有六个衍射峰，没有其他杂峰，峰间距600，进一 步确定样品为六方结构。通过对与衬底表面不平行的晶面的倾斜对称和掠入射非 对称∞扫描所得出衍射峰的半高宽，确定样品的位错密度，但两种方法所得出结 果不一致。 6、在应力作用下样品会产生弯曲形变，采用高分辨X射线三轴晶模式分析 了弯曲对摇摆曲线的影响，指出可以通过测量摇摆曲线的峰位移动得到GaN外 延片的弯曲半径，并进而计算出外延层所受应力的大小。 7、三轴晶模式测试得到样品沿衍射仪样品台X轴、Y轴方向的不同位置∞ 扫描所得出衍射峰的半高宽的不同，说明样品在X轴方向的弯曲半径与在Y轴方 向的弯曲半径相差较大，样品生长不均匀。外延片弯曲半径都大于200m，应力 都在108Pa数量级上。 8、测试了样品的光致发光性能，结合样品的光致发光性能，首次发现通过 倾斜对称所表征的位错密度与发光性能相矛盾，而通过掠入射所表征的位错密度 与发光性能吻合；在此基础上，总结出了与样品发光性能一致的表征位错密度的 掠入射方法。 关键词：GaN薄膜；X射线衍射：掠入射；光致发光；应力 南昌大学硕士论文 ————————————————————————————————————————————————————————————一 Abstract Inrecent years，GaN—based materialsand optoelectronic deviceshave been hasnotfull rapidl