化合物半导体Clt;,1-xgt;Znlt;,xgt;Te中的In掺杂及其与Au的接触特性.pdfVIP

摘 要 摘 要 C d1．。孙，Te晶体具有优异的光电特性，是理想的室温核辐射探测器用材料。 尽管对cdl．。zn，【1陀的研究由来已久，但在高电阻Cdl．。znxTb晶体制备、大直径 cdl。孙。Tc晶体生长以及金属与CdI．。zn。Te晶体接触等方面尚存在诸多难题。本 文针对这三个问题进行了探索研究。 由于生长过程中组元Cd的挥发，Cdl．。z11xTc晶体中容易形成大量的Cd空位 等点缺陷。这些电活性点缺陷的存在严重影响了cdl。zrnxTc晶体的光电性能。针 对上述问题，本文通过生长掺杂和退火掺杂两种途径，对本征Cdl。动。Te晶体进 行了掺hl改性，并通过二y曲线，红外透过谱以及光致发光谱等手段考察了h 的掺入对晶体性能的影响。研究表明，h1的生长掺杂和退火掺杂均能够有效提高 Cdl．，办。Tc晶体的电阻率。通过生长掺杂，其电阻率由3×107mm增加至 5×10”‘km，提高了3个数量级。而经过退火掺杂，Cdl．；办，Te的电阻率由 均降低了Cdl．；ZIlxTc晶体的红外透过率。这是由于，hl的引入增加了自由载流子 的浓度，使得自由载流子对红外光的吸收加强。hl的引入还在总体上增大了晶格 振动时的电偶极矩，造成晶格吸收的加强。这两方面的原因共同导致了红外透过 率的降低。生长掺杂并没有导致Cdl。历。Tc结晶质量的变化。而退火掺杂后，X cnl一，说明晶体的结晶质量得到提高。PL谱测试表明，生长掺hl后，杂质及缺 陷复合区由一个微弱的凸起扩展为一个明显的宽大波包，证实了掺杂后缺陷复合 体(2历∥，瞄甲的存在。同时，施主．受主对复合对应的DAP峰的强度增加，且 出现了声子峰DAP．L0。而掺杂后(Ao，x)激子峰消失，说明cd空位已经得到有效 补偿。退火掺杂后，中性旌主束缚激子峰(D0，)()的半峰宽明显减小，同时在(D惆 的高能肩出现了自由激子峰FE，并且施主．受主对复合导致的DAP峰强度也明显 高于掺杂前的情况，D。—l。峰的强度略有提高。 针对Cdl。盈kTc：h的常规表征手段非常复杂，而且测试过程有可能对晶体本 身造成损伤。为此，我们通过对大量cdl。砜Te：hl晶片低温PL谱的分析测试， 两北I。业人学博十学付论文 总结了其特征峰的变化特点，并结合晶体的结构和电学性能，建立起一套简单有 效且能从本质上反映晶体质量的无损评价方法。研究发现，对于高质量 的峰形越明锐，质量越好。而在低质量cdl．。zn。Te：m晶体中，近带边区内的主峰 能区分出自由激予FE发光峰，而对于低质量的Cdl．。办xTe：m，则很难看到这一 点。∞o，x)峰的半峰宽％啊佃r与Te沉淀／夹杂密度D强之间存在着一定的联系， 前者随着后者的增加而单调递增。二者之间的关系可以表达为 的大小。如。／‘矿。越大，D一越高。其原因是位错所束缚的激子会产生复合发 光，反映在光谱上就表现为Dc州，kx峰的增强。而DAP峰和Dc。叫。峰的相对强度 之差与电阻率具有紧密的对应关系。随着，。／‘D．m一如一／‘D．朋的增大，晶体的 电阻率下降。 采用改进炉体设计和温场分布的垂直布里奇曼晶体生长炉，成功制备出了直 径为60I砌的大尺寸Cdl。办，Te：hl晶体，并通过比较位错蚀坑密度，x射线回摆 曲线，红外透过谱以及光致发光谱等，详细分析了晶锭尺寸变化对于Cdl．函。Tc：hl 晶体性能的影响。研究表明，当直径为30I啪时，其位错密度低，x射线回摆曲 线的峰形尖锐，对称性良好，半峰宽窄。而当直径增加到60Inm时，其位错密度 上升了一个量级，且X射线回摆曲线的峰形钝化，峰侧存在着明显的劈裂，半峰 宽亦被宽化。上述变化是由于，晶锭直径的增加引起了温场不均匀性的提高，从 而导致生长成的Cdl．。zn。Te：hl晶锭中产生更大的应力所致。同时，晶锭直径的增 加会引起红外透过率的小幅度升高。这是由于，当晶体直径变大时，位错密度会 有所增加，有更多的自由载流子被俘获。这就同时引起了自由载流子对于红外光 吸收的弱化，从而提高了其红外透过率。当晶体直径增加时，低温PL谱中与位 错相关的Dco埘舨峰的强度会明显加强，而施主．受主对复合导致的DAP峰强度会 有所削弱。 为了改善Au—Cdl．。ZIl。Tc：hl的电学接触特性，我们采用退火对其进行了处理。 研究表明，退火处理能有效降低漏电流，并且漏电流降低的程度随着退火温度的