掺杂Balt,0.7gt;Srlt;,0.3gt;TiOlt;,3gt;（BST）体系相选择的实验研究.pdfVIP

摘要 摘要 低的介电损耗、可调的居罩温度等，使得它在动念随机存储器(DRAM)、相控阵天线、 红外热成像仪等器件有广泛的应用前景。在众多薄膜制备工艺中，溶胶一凝胶(sol—gel) 法制备纳米薄膜材料具有化学计量比准确、设备简单、工艺过程容易控制等优点。所以， 溶胶一凝胶法制备BST薄膜同益成为国内外材料研究的热点之一。 本论文采用溶胶一凝胶工艺，以醋酸钡、醋酸锶、钛酸丁酯、醋酸镁、醋酸镍、醋 酸锰和硼酸为主要原料，冰醋酸为溶剂，制备未掺杂、镁掺杂、镍掺杂、锰掺杂和硼掺 析手段，研究了掺杂对BST相组成、BST薄膜的组织形貌、各元素在BST中的化学价念 的影响。结果表明： Mg掺杂的最大量介于15％和20％之问，而Mg真萨进入晶格进行晶格替代的最大量 在10％之下。Mg掺杂强烈影nlaJBST体系的热演变过程特别是晶化过程，由未掺杂的双相 变过程变成单相变过程。在相同热经历状况下，Mg掺杂BST体系晶化反应充分完全， 位替代。(Bao7Sro3)o 05Ti03薄膜经750℃、2h晶化退火热处理之后，薄膜表面光 95Mgo 滑、致密、没有裂纹和缺陷，Mg掺杂可以使晶粒显著细化。XPS分析Mg掺杂BST薄膜 中各元素的结合能，表明Mg掺)kBST薄膜中，使BST薄膜中各元素的结合能都升高，其 中对Ba的影响最大，并进一步验证了Mg进入BST晶格是(Ba，Sr)替代。 双相变过程逐渐变成单相变过程。在相同热经历状况下，Ni、Mn掺杂BST体系晶化反应 充分完全，BSTt4N结晶性良好，当Ni、Mn掺杂样品经过双相变的晶化过程后可得单一的 解2．5／J,时、750℃晶化退火0．5IJ,时。 B掺杂同样使BST的晶化反应过程由双相变变成了单相变过程，同时它还延迟晶化 显示B很可能是进入BST晶格的间隙位置。 关键词：钛酸锶钡；溶胶．凝胶：掺杂：镁；镍：锰：硼 摘要 Abstract toits dieleetric dielectric Curie Due high constant，lowleakagecurrent，low lOSS，and strontium ferroelectricmaterial titanate(Ba，Sr)Ti03(BSD temperatureadjustability，Barium has in randomaccess shifter， dynamic widelypotentialapplications onehot andthermalinfrared ofBSTfilms becomesof imager．PreparationbySol—gel points andabroad．becauseofitsaccuratestoichiometric ofmaterialsresearchdomestic proportion and contr01． easy and were Ba07Sr03T103(abbr．BST)sols，gelspowders B—doped Mg．，Mn一。Ni．and with methodba