zno薄膜制备其光、电性能研究.pdfVIP

_}蠢夫擎簿士沦文 ZnO薄膜制备及其光、电性能研究 摘 要 六方纤锌矿结构的ZnO材料出于其具有独特的电学和光学性能，在压电、气 体传感器、光电器件等领域有广泛的应用。本文采用Sol-gel法和RF磁控溅射法 l 在玻璃祁Si(1I)衬底上沉积了ZnO薄膜，并对薄膜的结构、袭蕊形貌、电学性 藐琴嚣毙学涟缝等遴抒了表缓。 以二水合醋酸锌、乙二醇甲醚、乙醇被、二永合氯化镁等为魏驱物，在载玻 ZnO薄膜，系统研究了掺杂量、溶液浓度、热处理温 片衬底上Sol--gel法制备T 度等对薄膜性能的影响。实验结果表明，适鬣Li或Mg的掺杂可促进薄膜(002) 定向生长，著明显提赢材辩的电阻率；溶液浓鹰为O．45mol／L、旋涂7次、在610 定向性，定向指数达O．96t，电阻率达6．0x107ncm。薄膜从光致发光研究表明，“ 熬秀怒，ZnO蘑簇誊葶辩数滚戆缓发竞涟(DLE)变疆。 膜剃袭现为(002)择优欺自蛙，定向指数为0．742。驮原予堆积方式懿角度提出 了不潮择优取南薄貘的鬓三长枫理。对三释撵饶毅囱薄簇豹鑫掇鬻数懿测试缝采表 溅蘩功率豹遂热瑟逢太；薄膜懿衰瑟形襞表鞠，(100)酝逡翁澎羧与英它取淘薄 膜相比晶柱更加细密。佟为对比，实验还在Si(111)衬底上磁拄溅射了ZnO薄膜， 100W功率下，薄膜呈现“叭)择优取向。 V 上海大学辩-t晓文 Li的掺杂会使磁控溅射的ZnO薄膜光学禁带缴度变小，(10I)取向溥膜的光 学禁带宽鹰最大，随热处理温度升高及溅射功率的增大，薄膜的禁带宽度随之变 小。 过渡层加脬丽提高。采用Mg：ZnO过渡层(2层)、在优化的溅射功率下(380W) 蒡莲雩亍逶豢懿熬处理，摹l褥静ZnO薄簇(002)定囱撂数可达0。948，翳瓣，薄摸 中静晶载均匀，致密性好。 激发提赢质，这些纳米捧密度增搬，楣互之间出现糙连，表现为薄膜褥缝。论文 还讨论了鞠米棒懿形成橇稍。 (10I)定翻：(100)定向 V{ 上海大学媾：￡铯文 Oil and StudyPreparation，Electrical Optical ofZnOThinFilms Properties Abstract ZnOmaterialwith wurtzite hexagonal structurehasbeen usedin widely piezoelectric， devicesand optoelectronicsensorsduetoits electricaland this unique opticalproperties．InpapeL two andRF tofabricateZnOthinfilms。The methods，sol。gelmagnetronsputtering，wereemployed and characteristicsofZnO structural，electrical filmswere optical XRD，AFM，