用纳米压印和电束曝光技术构筑纳米电极.pdfVIP

FABRICATION OF NANOELECTRODES BY NANOIMPRINT LITHOGRAPH AND E-BEAM LITHOGRAPH A Dissertation Submitted to the Graduate School of Henan University in Partial Fulfillment of the Requirements for the Degree of Master of Engineering Science By Shi Qing Supervisor: Associate Prof. Wang Shujie, Associate Prof. Dai Shuxi May, 2013 摘 要 纳米电极在纳米材料光电特性的研究、纳米电子学、纳米器件构筑等多个方面的应 用中显示了独特的优势，得到了广大学者的密切关注。而随着纳米科技的发展，纳米材 料和器件的特征尺寸逐渐趋于 100 nm 以下，这样就要求有相应的 100 nm 以下的电极 来在纳米量级上研究材料的性质并实现更小尺寸器件的组装。然而，在纳米电极的制备 上往往由于缺少低成本、大面积而又间距可控的方法而受到了很大的限制，这就在一定 程度上限制了纳电子学的发展。因此，发展可达到上述要求的纳米电极的制备方法具有 重要的科学意义。很多纳米加工技术在纳米电极的制备上都凸显了各自的优势，如直写 灵活的电子束曝光技术（EBL ）、可实现大面积制备的纳米压印技术（NIL ）、能在特定 点上沉积的聚焦离子束技术（FIB ）、可实现任意分子直写的蘸笔印刷（DPN ）等等。 虽然上述的纳米加工技术均可实现较小尺寸的纳米电极的制备，但只有纳米压印技 术在制备低成本、大面积和较高分辨率的纳米电极中有突出的优势，并有望在未来得到 很大的发展。而且电子束曝光技术以其图形设计的灵活性也将在纳米电极的制备上发挥 重要的作用。因此，根据这些现状和实验室的具体条件，本文分别利用纳米压印技术和 电子束曝光技术制备了结构不同的纳米电极，其中最小尺寸做到了 70 nm 。将纳米压印 技术和双层胶剥离技术结合制备了间距可调的纳米电极，得到了在显影浓度一定的情况 下纳米电极的间距随着显影时间的增加而减小的结论；并用电子束曝光技术制备具有不 同间距和不同结构的纳米电极。主要内容分为以下三个部分： 一、PMMA 单层胶纳米压印法制备纳米电极。纳米压印过程所用的电极模板由四 种不同间距（100 nm、200 nm 、400 nm 、800 nm ）的结构组成，线宽为 300 nm，模板 结构高度为170 nm。实验中首先以厚度为 200 nm 左右的单层聚丙烯酸甲酯（PMMA ） 光刻胶作为阻挡层旋涂在干净的 Si 基底上，利用纳米压印系统在 PMMA 聚合物上形 成电极模板负型结构，经 RIE 刻蚀去残胶、Ti / Au 金属沉积和丙酮剥离之后得到与模 板结构相似的四种纳米电极。这四种电极的间距受压印和 RIE 过程的影响都有少量的 缩小，但它只是简单的对模板的复制，其间距与线宽受到模板的限制并不能得到有效的 调控；而且这种方法制备的电极由于其阻挡层厚度较小加之一些后续的处理使得其制备 的电极金属层高度较低（23 nm 左右），应用于纳米材料的实际测试中探针很容易将金 I 属层刮伤，而且金属剥离的过程较困难。 二、SF5