直流反应磁控溅法制备Ga-N共掺p型ZnMgO薄膜.pdfVIP

浙江大学硅材料国家重点实验室 直流反应磁控溅射法制各Ga-N共掺P型ZnMgO薄膜 摘要 ZnO是一种II-VI族化合物半导体材料，具有直接宽带隙(室温下3．37eV)，属于 六方纤锌矿结构。ZnO的禁带宽度宽。激子结合能为60meV，远高于其它宽禁带半导 体材料。ZnO激子在室温下是稳定的，可以实现室温或更高温度下高效的激子受激发 合金半导体禁带宽度的目的。所以，ZnMgO在短波长光电器件领域有着极大的应用潜 力，如紫蓝光发光二极管(LEDs)和激光器(LDs)等。 膜。主要研究工作如下： 对薄膜禁带宽度有较大的影响。 膜具有空穴浓度1．28×1018cnl．3、电阻率39．6D．cm和迁移率O．123cm2V-1s-l，在氧化硅 cm2、rls-1。 我们系统地研究了N20分压和衬底温度对获取P型以及载流予浓度、电阻率等的影响。 实验表明所得薄膜晶体取向性良好，表面形貌平整致密。我们发现，衬底温度对于薄 膜电学性能的影响很大，仅在一定温度区间内薄膜呈现为P型。得出最佳生长温度大 约是5400C。 3．我们试图不断优化实验参数，改变衬底类型，对样品进行退火处理。例如，退火前空 Q cm2V。1s．1；在4500C， 穴浓度2．87xi015era-3，电阻率为13400cm，迁移率0．162 02气氛下退火处理2min，薄膜电学性能有很大改善，其空穴浓度增大为3．09x101。7 Q era-3，同时电阻率为77．4cm，迁移率为0．261锄2v。1S．1。 4．最后，我们制备了一个的n-Si／p-ZnMgO异质结，并设计了简单的朋结器件。 关键词：Ga-N，共掺方法，P型导电性，ZnMgO薄膜，磁控溅射 I 浙江大学硅材料国家重点实验室 直流反应磁控溅射法制各Ga-N共掺P型zmagO薄膜 ABSTRACT Zinc isanovelII-VI semiconductor谢tha埘dedirect oxide(Zn01 compound bandgap is anda wu．rtzitestructure．In a candidatefor hexagonal particular,ZnOpotential applications in laser short-wavelengthoptoeleetronicdevices，includinglightemittingdiodes(LEDs)and toits exciton direct、】lride and high meV,cf．25 diodes(LDs)，due bandgap bindingenergy(60 meVfor willfavorefficientexcitonicemission atroom GaN)，which lYfOC七SSeS temperature． Whatis is with band nloi．e,whenMgOMloyedZnO，thegapenerg