热蒸发法制备厘级ZnO晶须及特性研究.pdfVIP

．氆》塑至查兰堡兰兰垡堕苎——一一——璺垄丝鲨型查里鲞丝垫旦曼堡墨壁丝!堕翌 摘 要 ZnO是一种II一Ⅵ族宽禁带化合物半导体材料，室温下其禁带宽度为 3．37ev，激子束缚能为60meV，在短波长发光二极管、激光器、紫外探测 器、高频和大功率器件及其相关器件方面有着相当广阔的应用前景。然而 目前在世界范围内只有国外几个实验室能够生产znO体材料，国内还没有 成功制备Zn0体材料的报道。我们课题小组利用简单的还原热蒸发法成功 的制备出了具有体材料性质的的znO晶须。 本实验首先在石墨坩锅中生长znO晶须，利用SEM(扫描电镜)、TEM (投射电镜)、sAED(选区电子衍射)、xI①(x射线衍射)对所得的晶 须进行了形貌与结构的研究，发现这些ZnO晶须是单晶的，为六方纤锌矿 结构，晶须长度范围为1．4cm，平均长度2cm，晶须的直径约为5．20um， 平均直径15um左右。随后本实验利用C粉作为还原剂生长Zn0晶须，发 现c粉与石墨坩锅具有相同的还原作用，从而为将来的大规模生产找到了 一种性能优异价格低廉的还原剂。zn0晶须的生长主要由两个因素决定： 一是zn0在衬底表面的过饱和度，另一个是zn0自身的结晶特性。其中， 过饱和度是结晶和取向生长最重要的驱动力。而过饱和度可以通过调节衬 底附近zn蒸汽的浓度以及衬底利原材料之间的温度梯度来控制。实验发现 在不同的zn0：c的条件下，生长出来的zn0晶须的形貌不同：不同的冷却 机制一空冷和随炉冷却一也会对znO晶须的形貌产生影响。在zn0：C为 l：2时，空冷冷却机制生长出来的晶须最为符合我们的要求。 我们用荧光光度计对样品进行PL谱测试，激发波长325nm，测试发 现室温下znO晶须只在377nm有一个窄而强的近紫外发光峰，这对应着 znO的近边辐射，说明我们所制备的znO晶须具有很低的点缺陷浓度和很 高的晶体质量。此外，znO晶须具有压敏特性，在低电压(9V)下成高阻状 态，测量值为无穷大；在高电压下(600V)，znO晶须的电阻下降，电阻率 46×】O．3Q·cm。 关键词： znO、晶须、热蒸发、厘米级、压敏性能 ⑨塑垩查兰堡圭兰些堡兰一 一 垫蔓丝鲨型鱼里鲞丝j!!曼塑墨堑丝塑塞 AbstraCt Asa semlconductorwlththe ot3．37eVandthe compound band‘wldth exiton of60meVatroom has bindingenerge temperature．ZnOmanypotential inshort-waVelen百h deVices，includinglight applications optoelectmnic emitting a11d diodes(LEDs)，laserdiodes(LDs)，ultravioletdetectors，h噜h舶quencyhi曲 devicesetc．Thereare severallaboratoriesabroadthathavethe power only to ZnO intheworldandno capabilityproduce bulk-qualitysingle·crystal domesticabout of ZnO was report preparationbulk—qualitysingle·crystal ZnOWhiskershavebeen ourteamwith published．Centimeter—long preparedby t