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2016-01-19 发布于四川
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系列新型介电材的制备、结构与性能研究

Preparation, Structure and Dielectric Properties of New Dielectric Ceramics Major：Material Science and Engineering Direction of Study：Inorganic functionality materials Graduate Student：Congxue Su Supervisor：Prof. Liang Fang School of Material Science and Engineering Guilin University of Technology September, 2011 to April, 2013 摘要摘要摘摘要要近年来，移动通讯和全球卫星定位系统等现代通信技术的迅速发展，对微波介质陶瓷的研究不仅集中在中低介电常数微波介质陶瓷的改性上，而且更集中在探索固有烧结温度低的新型微波介质陶瓷材料。另外，随着电子元器件不断往微型化的方向发展，具有高介电常数(ε 100)的钨青铜结构介电材料也备受关注。 r (1)以降低 Ba Ti Nb O 的τ 和提高其Q×f为目的，通过 Sb 取代 Nb，研究 8 3 4 24 f Ba Ti Nb Sb O (x=0-2)的微波介电性能。随着x从0 到1.5，陶瓷的最佳烧结温度 8 3 4-x x 24 o o 1460 C 1400 C 3.38eV 3.47eV Q×f 从降至，禁带宽度能级从增加到，有效地从 o o 22900GHz 提高至38000GHz。x=2，样品的τ 显著地从110ppm/ C 降低至2 ppm/ C。 f (2)Li基微波介电陶瓷因其固有烧结温度低而得到广泛的关注。在烧结温度区 o 间为975 -1050 C合成了新型Li基正交相的Li MTi O (M=Ba, Sr)陶瓷。Li BaTi O 2 6 14 2 6 14 o 的最佳烧结温度为1025 C，对应的微波介电性能是ε =30.3，Q×f=19900GHz，τ = r f o o -18.3ppm/ C；Li SrTi O 的最佳烧结温度为1000 C，对应的微波介电性能为ε =33， 2 6 14 r o Q×f=6300GHz，τ = -3.7ppm/ C。二者较低的品质因数除了由于样品在高温下Li的 f 挥发导