氮掺杂snot;,2gt;薄膜生长与物性研究.pdfVIP

摘 要 氮掺杂Sn02薄膜生长与物性研究 摘要 二氧化锡是一种非常适合构建紫外光电子器件和透明薄膜晶体管的氧化物 半导体材料。本文的目的在于采用磁控溅射技术生长氮掺杂Sn02薄膜，研究 薄膜的光学和电学性能，探索氮掺杂实现P型导电的可行性，为构建Sn02 基光电子器件奠定了一定的基础。 本文采用磁控反应溅射的方法，以N2和02分别作为氮源和氧源，制各 氮掺杂Sn02薄膜，系统地研究了薄膜的光学和电学性能。首次揭示了氮掺杂 Sn02薄膜中氮的位置和化学状态：氮离子部分替代Sn02晶格中的氧离子， 形成N—Sn—O键，薄膜由于氧空位被氮填补变得更加致密。发现了氮掺杂 nm时，薄膜 Sn02薄膜生长取向依赖于沉积速率和薄膜的厚度，当厚度小于80 oC nm时表现多个方向生长。采用550 呈现[110]方向择优取向生长，当大于170 衬底温度下预先沉积20am厚的种子层薄膜，在400oC衬底温度下沉积主层的 两步生长法，实现氮掺杂Sn02薄膜的择优取向生长。随着N2和02混合气体中 N2比例的增加，氮掺杂Sn02薄膜的折射率和消光系数增加，光学带隙发生红 移，并首次通过氮掺杂实现Sn02带隙在紫外一可见光区调制。首次观察到源于 局域化激子的复合发光峰，随着样品温度和激发功率增加，氮掺杂Sn02薄膜的 发光峰位分别出现红移和蓝移的现象，具有典型的局域化激子发光特征，进一 步分析表明这种局域化激子是由于薄膜中化学成分和晶粒结构分布不均匀等产 生的势场波动和带尾态而引起的。发现了择优取向氮掺杂Sn02薄膜源于 论证了种子层生长可以显著地提高氮掺杂Sn02薄膜的光学性能。在蓝宝石衬底 上，利用磁控反应溅射的方法外延生长n型Sn02薄膜，薄膜的载流子浓度和迁 x1016 移率分别为2．1 cm-3和10．3ucrll2／rVs，并观察到了室温下自由激子和间接带 隙跃迁产生的复合发光。 关键词：二氧化锡，氮掺杂，磁控溅射，外延薄膜，局域化激子，带隙调制， 光致发光，光电子学 Growth and of ThinFilms PhysicalPropertiesNitrogen-dopedSn02 Sn02isa candidatefor ultraviolet promising constructingoptoelectronicsdevices， suchasUVLEDsand aims ofthisthesisareto photodetector．The grownitrogen-doped filmsreactive electrical Sn02 and by magnctron optical sputtering,tostudy properties ofthe the of films，toexplorefeasibility p-typeSn02 achieving bynitrogendoping,and thereforesomebasicresultsfor devices