绝缘体上应变硅硅锗异质结的微结构研究.pdfVIP

摘要 摘 要 应变硅能够提高电子和空穴的迁移率，有希望成为高性能金属．氧化物．半导体场 底，能够获得使电子和空穴迁移率得到提高的应变硅沟道n型和P型MOSFETs。此 在SOl衬底上生长的SiGe结构中，siGe外延层的应变弛豫依赖于非晶氧化物埋 层在高温热处理时表现的粘滞流动性。为了简化外延生长工艺流程，避免引入更多的 位错和其它高温退化效应如Ge的偏析和表面粗糙化以及离位热处理引入的表面污染 和氧化，本文采用在SOl衬底上连续外延生长Si缓冲层、SiGe层和Si帽层随后进行 原位低温热处理的方法获得了应变Si／SiGe／Si—S01异质结构。 利用在样品和探测器之间放置狭缝的高分辨x射线三轴衍射实验得到了应变 易空间图谱。首次观察到具有双峰结构的Si层衍射峰，确定了Si层衍射双峰与Si 层衍射结构的对应变关系。经测量，Si帽层发生了3．0×10。4的面内拉伸应变，SiGe 层下面的Si层发生了6o×104的面内拉仲应变。SiGe层下面的Si层在无应变状态下 的晶格常数大于无应变体Si的晶格常数，表明SiGe层中的Ge原子发生向下扩散， 扩散原子的平均浓度为084at％。SiGe层中Ge原子的浓度为187at％，弛豫度为4．7％。 大于沿∞扫描方向的角度宽化，说明组分或／和应变变化引起的晶面间距的变化是SiGe 之间、SiGe层与SiGe层下面Si层之间的倾斜进行了解释。 建立了S01衬底上Si／SiGe／Si异质结构失配应变的分配模型。运用此模型对本文 量为4．9×10一。然而，高分辨x射线三轴衍射的测量值却与理论预测值之间存在较大 偏差：SiGe层下面si层的应变量较理论预测值低二个数量级，si帽层的应变量较理 论预测值低一个数量级。这是由于SiGe层下面Si层的应变来自于SiGe层应变的向 下传递，应变的传递效率受到了温度和位错相互作用的制约。在原位热处理过程中， 率，导致Si帽层的应变量大于SiGe层下面Si层的应变量。Si帽层的最终应变量受 SiGe层弛豫度和si帽层厚度的限制。 摘要 在应变Si／siG“si—SOI异质结构横截面高分辨电子显微像中观察到600失配位错、 堆垛层错以及局部区域的晶格畸变。堆垛层错位于SOI顶层si与si缓冲层的界面处， 造成SOI顶层si与si缓冲层界面附近原子堆垛次序的改变，进而导致堆垛层错的形 度小于由People模型计算的临界厚度，在外延生长过程中，SiGe层不会以形成失配 位错的形式进行塑性应变弛豫。进入到热处理阶段后，SiGe层的应变弛豫由弹性应 变弛豫转变为塑性应变弛豫，位错在SiGe层下面Si层中的运动使该层继续发生拉伸 应变。 首次在应变Si／Sic耐Si—SOI异质结构中的SiGe层下界面附近观察到位错偶极子。 面边缘，Burgers矢量刃型分量的符号相反。根据平行600位错之间的相互作用力对 位错偶极子稳定相对位置进行定量描述，部分位错偶极子稳定相对位置的测量值与理 论预测值之间存在偏差，这归因于局部晶格存在应力集中。应变Si／SiGe／Si—SOI异质 结构中，600位错和位错偶极子不仅出现在SiGe层的下界面处，也分布在SiGe层下 界面附近的外延层中。位错分布范围的平均宽度与扩散区宽度十分接近，说明互扩散 引入的应力场对位错的运动及最终分布起到了重要的作用。界面上不同位置的互扩散 系数不同，导致位错在SiGe下界面附近一定宽度范围内进行分布。提出两种位错偶 极子的形成机制：一种机制是，热场的不均匀分布导致在SiGe层下界面处形成失配 位错，失配位错在界面处或者在互扩散应力场和热应力场的作用下运动到SiGe层中 或SiGe层下面的Si层中，具有相反符号Burgers矢量刃型分量的两平行近邻失配位 错形成位错偶极子；另一种机制是，热应变在SiGe层下界面处的不均匀分布等因素， 导致界面处不同位置的互扩散系数不同，造成在界面处或界面附近微小区域的成分偏 析，在发生成分偏析的微小区域边缘产生失配位错，具有相反符号Burgers矢量刃型 分量的两平行近邻失配位错形成位错偶极子。 首次利用同步辐射形貌术对应变s“si(耐si．SOI异质结构中缺陷的类型及其空间 分布进行研究。在同步辐射白光形貌像中，观察到样品表面划痕、60。位错和穿透位 错、位错环以及局部品格畸变，并对600位错的Burgers矢量进行了判断。通过对