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碳纳米管复合材料制备及同步辐射谱学研究 中文摘要 中文摘要 碳纳米管（CNTs ）独特的一维管状结构赋予其优异的物理化学性质，在纳米 电子器件、复合材料和催化剂等领域具有广阔的应用前景，对碳纳米管进行掺杂 和与纳米颗粒复合是调节其性质从而促进其实际应用的有效手段。X 射线吸收近 边谱（XANES ）及扫描透射显微术（STXM ）等同步辐射技术已经成为对碳纳米 管的电子、原子结构以及化学相互作用的局域结构进行研究的重要手段，对科学 技术领域有十分重要的贡献。在碳纳米管的系列研究中，仍没有完全揭示碳纳米 管生长过程以及其复合物内部相互作用等机理，利用同步辐射技术研究这些作用 及机理能够推动相关科学的进展，具有重要的意义。 在本论文中，我们制备了碳纳米管及其复合物，并利用 XANES 及 STXM 等 实验方法研究了碳纳米管及其复合材料的电子结构。论文工作主要利用 XANES 和 STXM 揭示了碳纳米管生长过程以及其复合物内部的相互作用，这些研究为深入 了解制备性能优越的碳纳米管复合材料提供了实验和理论基础，具体内容如下： 我们对制备出的碳纳米管采用了表面敏感和体积敏感的不同探测模式，发现 大量氮气被封存在了碳纳米管内且在超高真空下稳定存在。结合 XANES 谱研究， 我们发现碳纳米管管内的催化剂电子结构与前驱体中的电子结构类似。碳纳米管 中封入的气体对碳纳米管的电子结构和性能会有很大影响，该发现为碳纳米管应 用过程中性能调控提供了一种可行的方法。 利用 STXM 实验，我们发现了碳纳米管化学处理过程中产生的碳碎片，这种 碎片包覆在碳纳米管表面，会对碳纳米管的进一步修饰造成影响。这种碳碎片很 容易被氧化，从而在碳 K 边吸收谱上表现出一个在 288 电子伏左右的很强的峰。 我们的 STXM 实验直接观察到了沉积在碳管上的这种碳碎片并清晰的测量了它的 电子结构。除了化学处理过程中引入的碳碎片外，我们的实验还发现，如果STXM 实验过程中使用的衬底是带碳膜的微栅，高强度的 X 射线将使碳膜挥发并沉积到 碳纳米管上，形成一层碳膜。更有意思的是，这种碳沉积膜的电子结构会直接影 响碳 K 边吸收谱上 285.5 电子伏左右的峰，即碳管费米面附近的峰，这种峰的存 在在过去许多文献中都被认为是碳管与复合的纳米颗粒之间的相互作用。我们的 I 中文摘要 碳纳米管复合材料制备及同步辐射谱学研究 实验明确证实该处的峰形成原因很大可能是由 STXM 实验过程本身造成的。该结 果对碳的相关 XANES 谱的理论解释具有指导作用。 此外，我们还对不同直径的碳纳米管进行了STXM研究，并讨论了影响碳纳米 管STXM谱形状的因素，实验发现碳纳米管直径（厚度）与谱的强度成比，但对谱 形的影响可以忽略。实验还观察到了制备过程中引入的无序结构，该无序结构使X 射线吸收谱中π*峰强位置降低。基于对不同管径的碳纳米管在碳K边吸收谱的对 应关系分析，我们还发现了可能的管间相互作用，这种作用将增强碳K边吸收谱上 的π*峰。 关键词：碳纳米管、碳纳米管复合物、纳米颗粒、X 射线吸收谱、扫描透射 显微术 作 者：谢 添 指导老师：钟 俊 孙旭辉 II Probing interactions in carbon nanotubes based materials though XANES and STXM Abstract