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化学机械抛光中抛光垫材料的研究与展望.pdf

化学机械抛光中抛光垫材料的研究与展望* 李 振 ,邓乾发 ,郑晓锋。,刘 盾 ,王羽寅 ,袁 巨龙 。 (1.浙江工业大学 超精密加工研究 中心 ,浙江 杭州 310014;2.特种装备制造与先进加工技术教育部 / 浙江省重点实验室 ,浙江 杭州 310014;3.宁波市特种设备检验研 究院,浙江 宁波 315020) 摘 要 :在化学机械抛光中,抛光垫的材料是重要影响 因素之一 ,它直接影响着抛光效果。本文介绍 了化学机械抛光垫的基本材料 、材料特性及其对抛光效果的影响,目前化学机械抛光加工中所采用的抛 光垫材料及主要用途 ,对各种抛光垫材料在抛光过程 中存在 问题进行 了分析,同时展望 了抛光垫材料 的 发展趋势。 关键词 :化学机械抛光 ;抛光垫;材料 中图分类号:TG58O.692 文献标志码 :A Study ofM aterialofCM P PolishingPad LIZhen ,DENG Qianfa ,ZHENGXiaofeng。,LIUDun ,WANG Yuyin ,YUAN Julong’。 (1.Ultra—precisionMachiningResearchCenter,ZhejiangUniversityofTechnology,Hangzhou310014,China; 2.KeyLaboratoryofE&M ,MinistryofEducation8LZhejiangProvince,Hangzhou310014,China; 3.NingboSpecialEquipmentInspectionCenter,Ningbo315020,China) Abstract:Inthechemicalmechanicalpolishingprocess,thematerialisoneofmostcriticalelementsofpolishingpadper— formance,whichdirectlyinfluencesthepolishingprocessandresults.Thebasicmaterialscharactersandtheireffectsonpol— ishingaredescribed.Varioussortsofresearchcontentsaboutmaterialsandcharactersofpolishingpadareshown.Theex— pectationsforthesolutionofpresentproblemsinresearchesandstudieswereproposedinthefina1. Keywords:Chem icalmechanicalpolishing,Polishingpad,Material 化 学机 械 抛 光 (ChemicalMechanicalPolis— 材料 的动态力学性 能进行 了分析与研究表 明,在抛 hing,简称 CMP)技术是半导体 晶片表面加工和多 光过程 中抛光垫的表面材料会发生所谓 的冷流动, 层布线层间平坦化 的关键技术之一 ,近年来得到了 从而产生冷胶合 ,导致抛光表面的小块凝聚(胶合), 广泛的应用。抛光垫是 CMP系统 的重要组成部 由于速度分布不 同,抛光垫 中间部分胶合程度 厉 分 ,抛光垫的材料性能和结构直接影响着抛光垫的 害l4]。张朝辉等人针对抛光垫压缩特性 、空隙、粗 性能 ,进而也影响着 CMP过程及加工效果 。抛光 糙度 、晶片形状特性进行 了研究 ]。广东工业大学 垫也是CMP主要的消耗材料 ,占CMP费用的70 与大连理工大学针对抛光垫做过相应的研究 。专利 左右 ]。 方面 :日本专利 (JP2介绍 了一种改 良的 压力 弹性化学机械抛光垫 ,此抛光垫是在聚合物 的基质

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