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化学机械抛光中抛光垫材料的研究与展望.pdf
化学机械抛光中抛光垫材料的研究与展望*
李 振 ,邓乾发 ,郑晓锋。,刘 盾 ,王羽寅 ,袁 巨龙 。
(1.浙江工业大学 超精密加工研究 中心 ,浙江 杭州 310014;2.特种装备制造与先进加工技术教育部 /
浙江省重点实验室 ,浙江 杭州 310014;3.宁波市特种设备检验研 究院,浙江 宁波 315020)
摘 要 :在化学机械抛光中,抛光垫的材料是重要影响 因素之一 ,它直接影响着抛光效果。本文介绍
了化学机械抛光垫的基本材料 、材料特性及其对抛光效果的影响,目前化学机械抛光加工中所采用的抛
光垫材料及主要用途 ,对各种抛光垫材料在抛光过程 中存在 问题进行 了分析,同时展望 了抛光垫材料 的
发展趋势。
关键词 :化学机械抛光 ;抛光垫;材料
中图分类号:TG58O.692 文献标志码 :A
Study ofM aterialofCM P PolishingPad
LIZhen ,DENG Qianfa ,ZHENGXiaofeng。,LIUDun ,WANG Yuyin ,YUAN Julong’。
(1.Ultra—precisionMachiningResearchCenter,ZhejiangUniversityofTechnology,Hangzhou310014,China;
2.KeyLaboratoryofE&M ,MinistryofEducation8LZhejiangProvince,Hangzhou310014,China;
3.NingboSpecialEquipmentInspectionCenter,Ningbo315020,China)
Abstract:Inthechemicalmechanicalpolishingprocess,thematerialisoneofmostcriticalelementsofpolishingpadper—
formance,whichdirectlyinfluencesthepolishingprocessandresults.Thebasicmaterialscharactersandtheireffectsonpol—
ishingaredescribed.Varioussortsofresearchcontentsaboutmaterialsandcharactersofpolishingpadareshown.Theex—
pectationsforthesolutionofpresentproblemsinresearchesandstudieswereproposedinthefina1.
Keywords:Chem icalmechanicalpolishing,Polishingpad,Material
化 学机 械 抛 光 (ChemicalMechanicalPolis— 材料 的动态力学性 能进行 了分析与研究表 明,在抛
hing,简称 CMP)技术是半导体 晶片表面加工和多 光过程 中抛光垫的表面材料会发生所谓 的冷流动,
层布线层间平坦化 的关键技术之一 ,近年来得到了 从而产生冷胶合 ,导致抛光表面的小块凝聚(胶合),
广泛的应用。抛光垫是 CMP系统 的重要组成部 由于速度分布不 同,抛光垫 中间部分胶合程度 厉
分 ,抛光垫的材料性能和结构直接影响着抛光垫的 害l4]。张朝辉等人针对抛光垫压缩特性 、空隙、粗
性能 ,进而也影响着 CMP过程及加工效果 。抛光 糙度 、晶片形状特性进行 了研究 ]。广东工业大学
垫也是CMP主要的消耗材料 ,占CMP费用的70 与大连理工大学针对抛光垫做过相应的研究 。专利
左右 ]。
方面 :日本专利 (JP2介绍 了一种改 良的
压力
弹性化学机械抛光垫 ,此抛光垫是在聚合物 的基质
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