钛酸钡基低室温阻率高居里点PTCR的研究.pdfVIP

摘要 本实验采用传统工艺，以碳酸钡，钛酸锶，二氧化钛，碳酸钠，氧化铋等为 原料，制备了无铅高居里点低室温电阻率复合陶瓷。(1)通过在(Ba,Sr)Ti03 以上，Na2C03和Bi203的加入量很少，对性能却起到很大的改善，其中居里点 的提高是关键，随着Na2C03和Bi203加入量的改变，试样的居里点较之原配方 和Bi203二者的固溶理论来结合，并形成了钙钛矿结构，复合的结果是改变了原 系统的轴率c／a，由于(Nao5Bio 得二者在复合以后形成(Ba092．。SroosNao5，Bio5x)币03后，在从四方铁电相向立 方顺电相转变的过程困难，表现为居里点的提高，这和实验的目的是一致的。随 着Na2C03和Bi203的加入量的增加，居里点提高到了1750C-225oC，但是当 Na2C03和Bi203的含量超过一定量后对实验就没有了意义…系统绝缘化，所以 选取适当的加入量进行下一步实验。(2)加入金属Ni，金属Ni性能稳定，主要 是抗氧化性好，有利于与上述系统形成结合，降低系统的室温电阻率。 随着金 属的加入量的改变，室温电阻率下降很快，当超过10％(嘶)时烧成瓷料就表现 为导通，可见金属起到了很好导通的作用，增加了电子浓度和迁移率，使得电子 从金属直接进入晶格，增加了导电的几率，综合效果表现为降低了室温电阻率。 金属Ni较之其它的金属比如Ti金属更容易实现与基体的复合，尤其是在烧结后 期不容易被氧化，采取适当的措施比如还原气氛，改变升温制度都能很好的保护 金属Ni不被氧化或者尽量少的被氧化。金属Ni的加入较之前人的加入量最大值 和性能最佳时的加入量都少5％左右，这主要是因为系统中的(Nao 的影响，另外加入金属Ni后瓷料的居里点有所降低，这主要是烧结制度有了改 变，烧结中的传质过程相应的也有了改变。室温电阻率得到很大的降低，但付出 的代价是升阻比急剧下降，由原来的10降到150左右。(3)热处理阶段是选取 第一步和第二步的最佳加入量进行的，因为由前人的经验，热处理很明显的升高 室温电阻率，提高升阻比，热处理工艺很少受到加入物多少的控制，也就是具有 的加入量10％(、vt)。改变热处理温度和保温时间，实验发现，随着热处理温度 的提高室温电阻率升高，但改变较小，升阻比提高，但是对居里点影响很小，基 本维持在1750c左右，金属在热处理中不可避免地要被氧化，晶界也得到氧化， 氧大量扩散进入晶界，提高了瓷料的PTC性能。在热处理中为了避免金属的氧 化，采用的措施是分部升温，即在低温阶段慢升温，高温阶段快升温，并尽量减 少保温时间，实验发现只要控制好升温制度，可很好的保护金属提高PTC性能。 (4)实验中采取了一些措施来提高性能，其中效果比较好的除了用还原气氛烧 结外，AST’Ti02，Bi203的加入量都是稍稍过量，并作了精确的控制，制造了完全 和部分还原气氛。防止挥发，控制A位和B位的取代，提高半导化的性能，并 得到了很好的效果。实验中的呆测瓷片都经过了超声波的清洗。 关键词：(Nao．5Bio 5)Ti03，居里点，烧结制度，半导化，热处理 Abstract Lowroom resistanceand TcP1℃Rceramicsis with temperature higll prepared rawmaterialsof and traditionalsolid BaC03，S疋03,Na2C03，啊02Bi203 using with offlee．1ead andlowloom synthesis hi曲Tc processing．msamples c锄be contemof