集成电路制造中的固结磨料化学机械抛光技术研究.pdfVIP

维普资讯 2005年 5月 润滑与密封 May2005 第 3期 (总第 169期) LUBRICATION ENGINEERING No．3(serialNo．169) 集成电路制造中的固结磨料化学机械抛光技术研究 苏建修 康仁科 郭东明 金洙吉 李秀娟 (大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室 辽宁大连 116024) 摘要：经过对传统化学机械抛光技术的研究与分析，指出了目前ULSI制造中使用的传统化学机械抛光技术的缺点， 通过对固结磨料化学机械抛光中的抛光垫结构、抛光机原理及抛光液的分析，得出了固结磨料化学★rL械抛光技术的t 点，同时还对硅片固结磨料化学机械抛光的缺陷进行了研究。 关键词：化学机械抛光；固结磨料；抛光垫；抛光机；抛光液 中图分类号 ：TN305．1+2 文献标识码 ：A 文章编号 ：0254—0150 (2005)3—001—4 StudyonFixed-abrasiveChemical-mechanicalPolishingTechnology ofW aferin IntegrateCircuitM anufacturing SuJianxiu KangRenke GuoDongming JinZhujiLiXiujuan (KeyLaboratoryforPrecisionandNon-traditionalMachiningTechnologyofMinistryofEducation， DalianUniversityofTechnoloyg，Dalian116024，China) Abstract：Byanalyzingnadstudyingtheconventionalchemicalmechanicalpolishing(CMP)technology，thedefectsof conventionalCMP，usedinultra—largescaleintegrated(ULSI)nowadays，werepointedout．Accordingtotheanalysiscfthe structureofpolishingpad，polishingmachinenadpolishingslurry，themeritsoffixedabrasives(FA)CMPwerepresented． Inthemena time，thedefectivitiesproducedinFA-CMPprocesswereintroduced． Keywvrds：chemical-mechna icalpolishing；fixedabrasives；polishingpad；polishingmachine；polishingslurry 随着集成电路制造技术的飞速发展，为增大芯片 成电路 (ULSI)多层布线金属正由传统的Al旧cu 产量，降低单元制造成本 ，一方面要求硅片的直径不 转化。并且随着金属层数的增加，在多层布线立体结 断增大；另一方面为了提高集成电路的集成度，要求 构中，刻蚀要求每层都保证整片平面化，这是实现多 硅片的刻线宽度越来越细。按照美国半导体工业协会 层布线的关键 。大量的研究表明，化学机械抛 (SIA)提出的微 电子技术发展蓝图，到2005年，硅 光 (ChemicalMechnaicalPolishing，CMP)技术是唯 片直径将从 目前200mm扩大至300mm，特征线宽将 一 能够实现全局平面化的方法，它的可贵之处在于它 从 目前0．13 m减小至0．1 m。可以使硅片的表面 在多层金属互连结构中既可对绝缘体又可对导体 、阻 积增加了225％，每个硅片可承载的芯片数量增加 挡层进行