模拟电子电路习题与例题基本放大电路基本放大电路例题.docVIP

模拟电子电路例题_半导体器件例题： 1.电路如例图（a）所示。当开关S分别在“1”和“2”时，问哪一个位置的Ic较大，哪一个位置的集电极与发射极之间的耐压较高，为什么？　　[解]：S置于“1”时，发射结被短路，这时的Ic为集电结反向饱和电流；C、E极间的耐压为。S置于“2”时，基极开路，Vcc被集电结和发射结分压，使发射结正向偏置、集电结反向偏置，此时的；C、E极间耐压为。故S置于位置“2”是的Ic较大；在位置“1”时，管子集电极与发射极间的耐压较高。 　　分析：S置于“2”时，晶体管内部的载流子分配关系如例图（b）所示。Vcc在两个“结”上分压，使发射结（JE）正就偏、集电结（JC）反偏。从发射区扩散到基区的多子中，有一部分在基区复合形成电流，大部分飘移到集电区，形成，即。集电结还有少子漂移电流，由于IB=0，故=，。 2．测得各晶体管在无信号输入时,三个电极相对于地的电压如例图三所示。问哪些管子工作于放大状态，哪些处于截止、饱和、倒置状态，哪些管子已经损坏？ [解] 　　工作于放大状态时，晶体管的发射结正向偏置、集电结反向偏置。故图（b）、（e）、（g）中的晶体管工作于放大状态。 　　晶体管的发射结和集电结均处于正向偏置时，工作于饱和状态。本题中的图（d）、（f），其晶题管处于饱和状态。 　　晶体管的发射结和集电结均处于反向偏置时，工作于截止状态。本题的图（a）中晶体管工作于截止状态。　　图（c）中的晶体管工作于倒置状态，因为它的发射结被反向偏置，集电结被正向偏置。 　　图（h）中的晶体管，其VBE＝2.7V，已远大于硅NPN型晶体管发射结正向偏置时的电压，故该管已损坏。 　　分析：1）发射结与集电结的偏置情况是判断管子工作状态的依据；2）发射结正向偏置时，硅管和锗管的|VBE|分别约为0.6～0.8V和0.2～0.4V。当发射结正向偏置、且|VBE|远远大于这一范围时，管子发射极与基极间已开路，而|VBE|＝0时，两个电极间已短路，管子均可能已经损坏。 　 模拟电子电路例题_基本放大电路例题　已知如图所示，R1＝10kΩ,R2＝51kΩ,Rc＝3kΩ,Re＝500Ω,Vcc＝12V,3DG4的β＝30。 　　（1）计算ICQ,IBQ,VCEQ。 　　（2）若换上一只β＝60的同类型管，估计放大电路能否正常工作。 　　（3）若温度由升到，试说明Vc（对地）将如何变化（增加或减少）。 　　（4）如果换上PNP型的三极管，试说明应作哪些改动（包括电容的极性）才能保证正常工作。若β仍为30，则各静态值将有多大的变化？ 　　解：（1）这种电路的特点是基极电位基本固定，进而固定了IE和IC，因此分析Q点的思路是： 　　　　　所以　 　　（２）换上β＝60的同类型管子，ICQIEQ不变，放大电路照常工作，只是IBQ变了。 　　（3）若温度升高 　 　　这也可用图解法直观解释： 温度，由，作负载线OA如图示，工作点由Q移到Q，引起IC增加。 　　（4）如果换上PNP管，则应将电源VCC及电解电容的极性反向才能正常工作，此时 VB＝－2V，若β仍为30，则　，注意VBE＝－0.2V 则　　　 在PNP管电路中VCE出现正值是不可能的，它表明管子进入饱和状态，可见，当PNP管和NPN管替换时，由于的差异，可能使静态值产生较大的变化，这必须在应用时引起注意！ 如图所示基本放大电路中，设晶体管β＝100，VBEQ＝－0.2V ,rbb＝200Ω，RB＝470kΩ,RC＝3kΩ,RL＝3kΩ,C1,C2足够大，在工作频率处电抗值忽略不计。 　　（1）估算静态时ICQ,IBQ,VCEQ。 　　（2）估算Vbe值。 　　（3）求电压放大倍数Av。 　　（4）若输入电流波形为对称正弦波，当输入信号逐步加大时，首先出现截止失真还是饱和失真？示波器荧光屏上观察到的波形是顶部还是底部削平？为减少失真，应如何调整元件？ 　　解：（1） 注意：此题思路和例一思路不同，由,并注意PNP管电压极性是负值。 　　（2）　　　 　　（3）　　 　　（４）当输入信号逐步加大时，首先出现饱和失真。因为输入对称电流波形，输出电流、电压波形基本上也是对称的，但由于VCEQ=3.7V ,小于，故可判知Ic偏大，Q点偏高。在示波器荧光屏上观察到的波形是顶部削平。因为PNP管时负电源供电，输出电流增大，vCE朝负得少的方向变化。为了减少失真，应增大RB或减小RC，但减小RC将使AV下降，是不可取的。 电路如图所示，已知三极管3DG4A的，rbb＝80Ω，RB＝96kΩ,RC＝2.4kΩ,RE＝2.4kΩ,VCC＝24V,交流输入信号电压有效值vi＝1V。 　　试求：（1）输出电压Vo1，Vo2（有效值）。 　　　（2）用内阻为10kΩ的交流电压表分别测量vo1