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FFET存储器Biamp;lt;,4amp;gt;Tiamp;lt;,3amp;gt;Oamp;lt;,12amp;gt;铁电薄膜的制备及性能研究.pdf
内容提要
／铁电场效应晶体管(FFET)存储器能够实现非破坏性读出，是一种比
较建想的存储方式，因此从一开始就受到人们极大的关注。但是其漏电流
过大和保持力差成为制约其实用化的最大障碍，攻克这一难题的关键之一
就在于铁电薄膜质量的进一步提高，尽量减少或者避免F—S界面的互扩散，
也就是说铁电薄膜的制备工艺和各项铁电性能必须与半导体集成工艺兼
容。标文系统地对FFET存储器用铁电薄膜的制备、结构和性能进行了研
究。主要内容如下：
(1)选择合适的离子源和溶剂，改善制备工艺参数，制备出满足
S01．Gel工艺制备Bi4Ti3012铁电薄膜的稳定的前驱体溶液；
薄膜晶相结构和表面形貌的影响，从而选择合适的制备薄膜工艺参数，成
功地制备出致密的、随机取向生长的Bi4Ti3012铁电薄膜；
(3)详细地研究了退火温度对BTo薄膜的铁电性能的影响々随过分
析B1’o／p—si结构的电滞回线，结果是B1D薄膜的比较适宜的退火温度为：
薄膜具有明显的单向导电性，但是在650℃退火处理的薄膜的漏电流密度
较小，显示薄膜具有较好的绝缘性，因此在满足其它性能之后，退火温度
应该越低越好：+
(4)详细地研究了BTD／p．si结构的c．V特性曲线，根据c．v特性曲
线的回归方向判断。溶实验制备的B1D铁电薄膜为极化型存储；在650℃
退火处理得到的BT0／p．Si结构的铁电薄膜的C．V特性记忆窗口在1MHz
下达到最大值3．Ov。斗
关键词：铁电薄膜；铁电场效应晶体管；Bi4Ti3012；溶胶一凝胶法j电滞
回线；J-V特性曲线jc．V特性曲线
and of Thin
Bi4Ti3012
Properties
Preparation
FFET
For
Films
Abstract
read Field
ofnon．destmction
Duetome out，Fermelectric
advantage
E仃bct tobethc
Tr觚sistor(FFET)issupposed
andhas its currentand
hi曲1eakage poor
been、^ridelyinvestigated．But
to me of
rctentionisthemainobstacle qualit)r
its印plication．ImpmVing
reactionanddifmsionbetweenF—S
films tlle
ferroelec仃icmin aIld
avoiding
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interfaces say
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