MOCVD法制磷掺杂p型ZnO薄膜.pdfVIP

摘 要 ZnO是一种新型的II—VI族宽禁带半导体材料，具有许多优异的 性能。但由于晶体中存在诸多本征施主缺陷(如氧空位vo和间隙锌 Zni)，对受主产生高度自补偿作用，天然ZnO为n型半导体，难以实 现P型转变。而ZnO薄膜P型掺杂的实现是ZnO基光电器件的关键 技术，所以如何实现P型转变已经成为近来ZnO研究课题中的热点。 本文首次报道了利用金属有机化学气相沉积方法在玻璃衬底上生 长掺磷P型ZnO薄膜。实验采用二乙基锌作为锌源，高纯五氧化二 磷粉末作为磷掺杂源。利用x射线、霍尔测试、能量散射谱、二次 离子质谱、透射光谱和光致发光谱对其性能进行了分析。结果表明 型ZnO薄膜；该薄膜在可见光区具有很高的透射率；从室温和低温 光致发光谱上看该薄膜具有优异的光学性质。同时，我们对所得到的 掺磷ZnO薄膜进行了退火研究，结果表明退火能够改善薄膜的晶体 质量并能有效的激活受主。 ABSTRACT ZnOisanovelII—VI semiconductorwitha3．37eV compound band direct indicatethat ZnO room—temperaturegap．Researches n-type filmscanbewell tothe prepared，however,due as on derivedfromtheintrinsicdonordefectssuch processdoping zinc isformed oxygenvacancy(Vo)andinterstitial(Zni)atoms，ZnO and ZnOisdifficultto torealize n-typenaturallyp-type prepare．How ZnOfilms isthe for inthe through keystep application p-type doping fieldsofZnO—based which are devices，in optoelectronic greatprogresses madenow being ZnOthinfilmshavebeen Phosphorus—doped grownbymetalorganic chemical our vapordeposition．In Zn and wereusedas usedas 02 P205 oxidizing precursor,andgas power and ofobtained properties phosphorusd