MoSilt,2gt;(p)RBSC复合材料的制备与性能的研究.pdfVIP

2002年 武汉理工大学硕士论文：Mosi2(p)／RBsc复合材料的制备与性能的研究 摘 要 ／ RBsc材料因其优异的性能、低廉的费用而得到了广泛的应用。但是，由于工 艺本身的特点，RBsc材料中含有一定量的游离硅(fsi)。游离硅(fsi)的存在限 硅是提高材料使用温度的理想途径。广一r 将Si、Mo单质颗粒在1420℃预先合成si．Mo熔体，用此浸渗体浸渗c质坯 了烧结条件对浸渗过程的影响。 实验表明，对于同一坯体，随着si．Mo熔体中Mo含量的增加，浸渗所得材料 的密度随之增加，但是，材料中的残留c、气孔相的含量亦随之增加。这是由于反 、 应浸渗时，熔体中析出的Mosi2阻塞毛细管造成的。含残留c、气孔相的材料进行 高温(2050℃)热处理后，材料中残留C、气孔相的含量大大减少。此外，原料中 的杂质同c在高温下反应生成的气体产物和高温下以气体形式外逸的杂质也会阻碍 c的完全转化。由于材料中残留c、气孔相的影响，同RBsc材料的强度相比， Mosi2(p)，RBsc材料的强度有所下降。卜—r一。 文中初步建立了一个模型，以预测不同的坯体初始空隙率时材料产物中各相的 含量。结果表明，坯体的初始空隙率存有一个l临界值。只有当坯体的初始空隙率等 于此值时，材料中的游离硅才可能被Mosj2完全取代。否则，材料中含有残留c、 游离硅相。 材料。Mosi2颗粒均匀的分布于此材料中。(实验表明，材料的性能并非随坯体中 M003含量的增加而增加，坯体中MoO，含量存有一最佳值。此时，浸渗所得材料 的性能最佳。此外，若坯体中含有初始细sic颗粒，浸渗所得材料的性能可以有所 改善。文中详细讨论了M003颗粒对熔体浸渗烧结的影响。尹1。一 关键词；碳化硅=硅化钼浸渗阻塞 氧化钼 武汉理工大学硕士论文：Mosi2(p)／RBsC复合材料的制备与性能的研究2002年 Abstract theexcellent and With jtsIow RBSC waS materials prope州es cost，the widely mate“als RBSC containssomeamountsoffree usually，the silicon．The applIed．But the of freeS|1jmitsitssummituse jdeal existence to thjsis temperature．AnWayimprove thefreesiwith standsfor to meIaI a replace MSl2(M element)wjth pojntup melting 1700℃． of waS