LaBlt;gt;材料的制备工艺及氧化性行为研究.pdfVIP

些玺查兰壁主兰垡笙圣三!!呈!丝垒墼型鱼三苎垒篁些丝堑丝堡窒：一 摘 要 发射性能和高温稳定性是LaB6材料应用的重要基础，而氧气氛及氧污染严 重降低其发射性能和高温稳定性。为开发LaB6材料在电子器件上的应用以及探 讨其高温抗氧化能力，本文开展LaB6材料的制备及其氧化性行为的研究。 采用碳化硼法制备了LaB6粉末。在热力学分析的基础上，理论确定合成粉 术的条件，并通过试验研究不同合成工艺对粉末生成的影响，最后确定合成LaB6 的条件下可以制备LaB6粉末。该试验条件要比利用硼热还原法制备LaB6粉末 1- 所要求的1650C保温6h低。本实验制备的粉末纯度为98．2％，平均粒径为6 m，颗粒呈球形。 用1EM研究了LaB6多晶体的微观结构，LaB6多晶体晶粒问结合紧密，只在少 数晶粒间有微孔存在，没有出现烧结不彻底和晶粒长大现象，部分孔洞中有少 量混料过程中引入的Si02杂质。分析了LaB6多晶体的形成过程，并从表面张 力的角度分析了孔与杂质的形成过程，为进一步提高LaB6多晶体质量提供理论 依据。 利用电子束焊机研究了LaB。纯度、多晶体致密度、高温处理、工作室真空 度以及材料表面状态对电子发射性能的影响。提高纯度显著提高其发射性能： 敛密度的提高可提高二次电子发射性能：高温退火处理去除了污染物，并释放 了束缚电子逸出的内应力．使发射性能提高；LaB6阴极在真空度不高的工作室 应用‘段时间后，导致气体在多晶体表面吸附，并在多晶表面产生一层氧化层， 增加了表面逸出功。 3．203生成。La(B02)3的生成未引起明显的重量变化，氧化增 对应La(B02)3和f 重在第二个热效应峰阳j增重l 7％，低于CaB6粉末61．85％署D SiB6粉末55％的氧 氧化经历了氧的吸附、扩散和反应形成氧化层，本文从氧消耗量角度建立了球 形颗粒氧化动力学模型，推导出氧化层厚度与氧化时阳_j的关系： 竖， 一～k(_D一+月)口一丛fl—a)％+Dn一口)只+坚一D 摘 要 4C LaB。多晶的氧化研究表明．1000。C以下氧化增重符合抛物线规律，1100 氧化增蓖随时间不同出现两个不同的反应过程：前2个小时的重量增加是由于 包括B：O3(f)在内的氧化产物造成，随后的重量损失归因于B203(1)的蒸发。由于 在1200。C氧化时，表面产生大量裂纹和孔洞，氧化增重出现抛物线．直线氧化规 与长人分析了多晶体表面氧化薄膜的形成，氧化薄膜增厚到一定程度，因基体 与氧化层的热膨胀系数(CTE)不同产生裂纹，随温度升高，B203挥发产生孔 涧。 反应合成了LaB6．ZrB2复合粉末，热压合成的烧结体致密度为99．2％，抗弯 强度为288MPa。不同温度下，LaB6一ZrB2复合材料的氧化增重率随着氧化时间 的增加而加大，在1100℃以下氧化增重符合抛物线规律，而到1200℃时，氧化 增重随氧化时间不同发生变化，氧化1小时，增重比较明显，随后因B203的挥 发抵消了部分氧化增重而使增重速度减缓，到1300。C，氧化增重呈线性氧化规 律。 形貌观察发现，LaB6优先氧化后的氧化膜逐渐覆盖ZrB2表面，因氧化层和基体 CTE不同以及Zr02相在氧化层中生成，导致在1200 4C氧化层中有大量裂纹产 生，氧化到1300。C，大量裂纹和孔洞使表面层失去保护作用。在氧化层中没有 La203和Zr02两相形成的化合物。通过对比发现，LAB6-ZrB2复合材料的抗氧化 能力比单一LaB6高。)，，，‘ 关键词：LAB6：粉未合成；热压烧结；微观结构；电学性能：抗氧化性：氧化 机理 ABSTRACT