掺锰近化学计量锂晶体生长及其结构与光折变性能.pdfVIP

摘要 摘要 本研究采用助熔剂法生长出无宏观缺陷、光学均匀性较好的掺锰近化学 计量比铌酸锂晶体。探索出生长化学计量比铌酸锂晶体合适的工艺条件和增 大晶体生长温度梯度的工艺方法，阐明了大的温度梯度以及延长提拉前恒温 时间对生长化学计量比铌酸锂晶体的重要性。 通过晶体粉末的x．射线荧光光谱法测试、晶体粉末的x．射线衍射测 试、晶体的红外吸收光谱测试、紫外．可见吸收光谱测试，揭示了锰离子对 近化学计量比铌酸锂晶体微观结构的影响规律。 研究表明，Mn”的分凝系数随着掺锰量的增加稍有变小的趋势；在不 同掺锰量的情况下，助熔剂法生长的掺锰铌酸锂晶体均保持原有的晶格结 构，但晶格常数有所变化，非掺杂近化学计量比铌酸锂晶体的晶格常数比同 成分铌酸锂晶体的晶格常数小，随掺锰量的增大，品格常数有增大的趋势； 通过助熔剂法生长的非掺杂和掺锰铌酸锂晶体的铌锂比均为近化学计量比， 锰的掺杂没有破坏铌酸锂晶体的近化学计量比晶体结构，随着锰掺杂量的增 加，各样品在348lcm“处的吸收峰增强，说明样品的本征缺陷增加，偏离 化学计量比的程度增大，掺杂锰离子取代更多锂离子而占据锂位，并且，在 较高的掺杂浓度下，这一占位方式没有变化。氧化和还原处理，对晶体的紫 外，可见光谱的影响具有一定规律性。 随着掺锰量的增大，晶体的居里温度升高。 助熔剂法生长的非掺杂和掺锰铌酸锂晶体均具有单畴结构，锰离子的掺 杂对晶体的畴结构没有影响。因此无需极化处理，可直接进行光折变性能的 实验研究。 随着掺锰浓度的提高，掺锰近化学计量比铌酸锂晶体的衍射效率增大， 响应时间增加。对于同一个掺锰近化学计量比铌酸锂晶体样品，从氧化态到 生长态再到还原态，其衍射效率逐渐降低，而记录时间和擦除时间却有所缩 短。对晶体的非擦除读出实验结果表明，当写入时，采用紫外光和He-Ne 激光共同照射，读出时，采用He—Ne激光照射，能实现非擦除读出。本文 还测量了晶体不同角度的衍射效率，并将其代入迭代程序，从而计算了晶体 的光折变场强。计算结果表明，随着掺杂锰离子浓度的增加，光生伏特场 E。h逐渐大于扩散场Ed，从而光生伏特场逐渐起主要作用，饱和场也逐渐增 大，但对空间电荷场的影响不大。 常温下，掺锰近化学计量比铌酸锂晶体具有较长的暗衰减时间常数，能 满足全息存储的应用，随着掺锰浓度的增高，暗衰减常数逐渐降低。掺锰化 学计量比铌酸锂晶体的抗光损伤能力比同样掺杂浓度的掺锰同成分铌酸锂晶 体的抗光损伤能力有较大的提高。 总之，掺锰近化学计量比铌酸锂晶体的抗光损伤性能较强，暗衰减时间 常数较大，光折变性能比非掺杂化学计量比铌酸锂晶体有较大幅度的提高， 其全息存储参数(动态范围和敏感度)基本能达到全息存储要求，是值得进 一步深入研究的光学全息存储介质材料。 关键词铌酸锂晶体；近化学计量比；掺锰；光折变性能；暗衰减 Abstract TheMnO near stoichnaetric were the doped LiNb03 crystalsgrownby top— fluxto seeded—solution—growth(TSSG)methodK20 Li20·Nb20smelt， byadding andthe no have defectandhave crystals macroscopic good opticalhomogeneity． The conditionsfor andMnO appropriatetechnological growingundoped dope