溶胶-凝胶法制明导电氧化物(TCO)薄膜.pdfVIP

中文摘要 通过适量掺杂的Sn02基、ZnO基透明导电薄膜具有优异的光电性能，能在太 阳能电池、液晶显示器等多种电器设备中用作透明导电电极。课题研究主要探索 比对薄膜导电率和透光率的影响。 本文采用具有无害对离子的SnC204为原料，从中性溶胶中制备出了Sb3十、F‘掺 杂的Sn02低表面电阻薄膜；讨论了SnC204在羧酸一碱试剂中的溶解络合机理和掺 杂对表面电阻的影响规律；研究TpH值对SnC204在羧酸．碱试剂体系中溶解络合 的影响；溶胶浓度、Sb3+、F。掺杂浓度、膜厚、热处理温度对Sn02基薄膜的表面 形貌、透光率和表面电阻的影响；以醋酸锌为前驱体制备了ZnO：AI：F薄膜；研究 了AIF3掺杂浓度、膜厚、热处理气氛对ZnO：AI：F薄膜的表面形貌、透光率和表面 针测试仪表征了溶胶的形成以及薄膜的相组成、结晶形貌、透光率和表面电阻。 提出了碱试剂在SnC204溶胶工艺中具有破坏SnC204结构和激活络合剂的双 重作用；三氟乙酸(TFA)络合Sn2+提高F元素在热处理过程中的稳定性；通过 AIF3双掺杂提高ZnO薄膜的载流子浓度和迁移率以提高电学性能。 结果表明：SnC204在羧酸．碱试剂体系中溶解络合具有普遍性，羧酸起络合 作用，碱试剂具有破坏SnC204结构和促进羧酸电离的双重作用，pH值显著影响 0nm SnC204的溶解性，6．4--7．0为合适的pH值范围。本工艺条件制备的薄膜均由1 薄膜具有最低的表面电阻30D．／o，透光率80％，过高的Sb掺杂会形成5b204而提 薄膜最低表面电阻为130D．／D，透光率80％。三氟乙酸(TFA)与Sn2+键合稳定 存在于络合结构中，热处理时挥发过程温和，减小了成膜工艺中的应力，能够在 高掺杂浓度下制备厚膜试样。H2气氛热处理降低了ZnO：AI：F薄膜表面电阻，lat％ AIF3掺杂0．6M的Zn溶胶制备的薄膜在空气气氛下晶粒取向生长，电阻率很高， 氢气中3000C以上处理的薄膜表面电阻降低到25D．．／D。薄膜表面呈致密结构，晶 粒大小均匀。 ZnO溶胶．凝胶法掺杂改性 关键词：透光导电氧化物薄膜Sn02 ABSTRACT oxidethinfilms withsuitable andZnObased conductive doped Sn02 transparent andelectrical are as haveexcellent widely dopants optical properties，andapplied electrodesinvariouselectricaland devices andconductiveoxide optical transparent andSOon．Inthis of cell paper,influencedopant includingliquidcrystaldisplay，solar of electiricaland of and concentrationSb”，F。，A13+on opticalproperties styledopant were andZnOfilms Sn02 investigated． methodfrom f