硅基ZnO薄膜激发载流子弛豫动力学超快光谱研究.pdfVIP

Univ．Postdoc GUO,2002 byBing Zhejiang Program 摘 要 由金属有机化学汽相沉积(MOCVD)异质外延方法，成功获得晶体质量和光学质量 末作比对样品，综合运用时间积分与时间分辨光致发光光谱、飞秒泵浦探测瞬态反射谱 等超快激光光谱技术，在国内率先比较系统地研究了上述盈o／Si薄膜室温光致发光特性 和光激发载流子弛豫动力学特性及其与MOCVD生长工艺的关联性，得到的主要结果如 下： 获得优异c轴择优取向六方znO／si薄膜，表现出强的室温近带边发光，而中心位于 t。OC 复合机制的理论预期完全一致。这是国际上首次对ZnO半导体薄膜中本征缺陷诱导的 国际上对ZnO薄膜中绿光缺陷带复合机制意见不一的长期争论。 (3)ZnO／Si薄膜中室温激子荧光近似单指数衰减且衰减速率随杂质发光增强而加 快(『l，。25ps)，反映了杂质／缺陷中心对光激发载流子／激子的超快非辐射捕获，并控 制了激了布居的弛豫速率。ZnO粉末与ZnO／Si薄膜近带边荧光时间衰减特性基本一致， 但前者显现出明显的上升过程，上述差异主要在于ZnO粉末中晶界效应在光激发载流子 瞬态弛豫过程中起主导作用。 摘 要 随后的带填充效应，测得热载流子LO声子发射速率1，45ps，主要体现了热声子效应：光 诱导带尾态载流子布居弛豫～16ps快过程反映了带隙杂质／缺陷对载流子／激子的超快非辐 射捕获，慢过程归属为高激发密度时激予一激子散射诱导的辐射复合，其弛豫速率随激 于杂质态载流子的快速光电离过程。 -了二Mott转变，并诱导电子空穴等离子体的辐射复合以及其它非线性复合如Auger过程等， 子辅助隧穿过程充当了带尾载流子布居初始弛豫的主要机制，光激发诱导带尾向低能方 向的扩展使得特定探测态载流子的隧穿弛豫几率增大，光激发越强，上述效应越显著。 In structure this and of MOCVD·ZnO work，the optical propertiesnominallyundoped at onSiwereevaluatedroom epilayers temperaturebyx-ray and—resolved femtosecond time-resolved aGaN photoluminescence(PL)，and reflectivity,using andZnO as observationshaveled epilayer powdercomparison to samples．Theexperimental some on conclusionsdrawnthe inthe ZnO the photocarrierdynamics GaNthin ZnO at600Cand for1 aS：(1)The annealedhour film，following e