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溶胶凝胶法制备钛酸锶钡薄膜的介电性质.pdf
P‘59
09黾
溶脞撮；j盘法制备的钛酸锶钡薄膜的介电性质
摘要
本文详细的介绍了BST薄膜在DRAM中的应用前景和现在存在的
主要问题及解决办法。为进一步提高介电常数并同时保持其介电损耗在
SrTiO，，薄膜存在明显的介电系数增强效应，同时保持了较低的介电损
and
660，
and
损耗为O．0278，0．0291，O．0281
多层膜与单层膜的介电频率色散程度、C．V特性和介电系数与温度的关
电增强效应形成的机理，认为介电增强是源于Maxwell．Wagner效应。
关键词：溶胶凝胶法?钛酸锶钡i介电常数
溶胶凝脱}去制备的钛酸锂钡薄幢的介电性质 英文摘要
Abstract
This introducesin detailthefuture of
paper application
filmandthemain ofthis
BaxSrl．。Ti03(BST)thinproblemsmaterialandthe
solvethese andat
methodto enhancethedielectricconstantthe
problems．To
timelowthe
same loss BaTi03／SrTi03
tangent，Polycrystalline
filmshavebeen
thin on substratesa
Pt／Ti／SiOjSi
prepared by sol—gel
processing．TheX—ray and electron
Auger
diffraction(XRD)patterns
thatthe filmswere
thin formed．
multilayered
spectroscopy(AES)indicate
Thedielectric the was
constantof films enhanced
muttilayeredsignificantly
andthedielectriclosswas thesameas the
almost
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