硅基薄膜中金属粒对发光特性的影响.pdfVIP

摘要 摘 要 采用双离予束溅射技术，通过对由Si、StO：以及hl、Si和si 02组成的复合 别通过改变靶面上铝、硅所占的表面积来调节。通过对上述薄膜的PL、PLE以及 EL的分析，研究了此炎薄膜中所存在的缺陷及发光中心，以及结构对发光的影 响。着重讨论了掺铝对薄膜电致发光的启动电压、发光强度、发光效率的影响。 用XRD，TEM，XPS等测试手段对薄膜的成分、元素的化学状态、晶体结构以 及形貌等进行了分析测试。(当薄膜沉积的基片温度较低时，薄膜呈现非晶结构， 薄膜中的铝主要是以单质铝的团簇形式存在于非晶的SiO。(x2)中，而多余的硅 则以单质或低价氧化物的形式存在于膜中。≮ 对薄膜进行YPL和PLE谱的测量。研究了薄膜中的缺陷状态和发光中心。帔 发光过程的不同。分析认为至少有两种不同的发光机理同时存在。吐 强的峰位在510衄的电致发光(EL)谱峰。(我们认为该谱峰来自于SiO。中某种 ～ 谱的有三大特点：(1)EL谱的启动电压明显下降；(2)样品的发光强度、发光 效率均显著增加；(3)而即使在反向电压下也能获得EL的发光谱。结果表明在 硅基薄膜中掺入适量的金属(例如：铝)，并使其以团簇的形式均匀弥散在薄膜 中．有可能既不改变薄膜的发光中心．又可大大提高其发光效率。这为该类发光 薄膜走向实用化提供了一条较为实用的途径。q 关键词：M-Si-Si0：薄膜i电致发光i光致发光i铝颗粒i发光效率： AbstracI Abstract Aseriesof and films were Si—Si02 films adual．ion．beam AI—Si—SiOz preparedby methodfroma inan surface co’sputtering composite target argon atmosphere．The areaof Si total and thesurfaceareaoftotalAI can pieces be to pieces adjust changed the in contentsofSiandAI the the aidof and influenceof PL，PLE films．By EL，the the centersandthestructure onluminescencefilms defects，luminescence ofthe had been