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外场对多晶组织影响的相场研究 外场对多晶组织影响的相场研究 摘 要 晶粒长大是多晶体材料中最基本的显微组织演变过程之一。通过对显微组织及其演变 过程的计算机仿真与系统分析，既可实现对相关理论模型的检验和验证，又可为显微结构 层次的材料设计提供参考和依据。外场技术对控制材料的制备和加工过程，提高材料的综 合性能，表现出了巨大的潜力与广阔应用前景。所以，外场技术对于发展新型材料和改进 传统材料都有重要的科学和工程意义。本论文采用相场方法仿真了外场下二维和三维晶粒 长大过程，并与没有外场下的晶粒长大过程进行比较，以期了解外场对晶粒长大和多晶组 织凝固行为的影响。 本文首先在相场模型的基础上，考虑到外场会影响到α γ α ，β， ，k 的变化，针对 ， i γ β， ，ki 随空间线性变化的情况来讨论晶粒微观组织形貌的变化， 系统研究不同参数 下的晶粒演化过程及其生长动力学，初步验证了本文设计的相场算法的有效性。 实现了外场下二维晶粒长大过程的计算机仿真研究。并讨论了相场模型中的参数，场 变量对晶粒生长的影响。①外场下二维晶粒生长的相场仿真结果表明：与没有外场的情况 相比，外场梯度的存在使晶粒的生长不再均匀；②外场梯度的强弱对生长速度会产生影响： 外场梯度较弱时晶粒的生长速度较慢，外场梯度较强时晶粒的生长速度较快；③外场梯度 α γ 对形核率的影响比较明显：沿着 ，β， ，k 增长的方向，晶粒形核逐渐变慢，但是对 i 晶粒的生长速度没有明显的影响.④不同个数的场变量下的晶粒生长规律及晶粒的相对尺 寸分布具有相同的形式。 最后，实现了外场下三维晶粒长大过程的计算机仿真。结果表明：①外场下3D晶粒 α γ α 生长的相场仿真结果表明：随着 ，β， ，k 增加的方向，晶粒的生长速度有所不同： ， i γ β， ，k 的增量越大，晶粒生长速度越快；②外场下 3D 晶粒生长与无外场下 3D 晶粒生 i 长比较得出：无外场下 3D 晶粒的生长分布比较均匀，有外场下晶粒的形核与生长是沿着 α γ 外场梯度方向非均匀分布的，而且晶粒的形核率会沿着 ，β， ，k 增加的方向逐渐变 i 慢。 关键词：相场方法，外场，晶粒生长，二维模拟，三维模拟 I 外场对多晶组织影响的相场研究 The phase-field simulation of polycrystal microstructure evolution under externa