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光刻的一些创新技术 摘要：介绍了多光束无掩膜光刻系统，多能点X射线透射光栅的制作技术，准分子激光技术以及应用于维纳光子器件的立体光刻研究进展。 关键词：光刻，多能点，准分子，立体。 1 引言： 尽管浸没式光刻技术已经可以将光刻节点延伸至65 nm 甚至45 nm, 各种提高分辨率途径如:寻找高折射率的浸没液体、改善光学主镜头、提高光刻胶分辨率、优化掩模版、自对准双重图形技术及各种波前工程的综合使用, 可使光刻节点降至32 nm甚至22 nm, 但是不断攀升的价格, 让人望而生畏, 到了阻碍新产品开发的地步。 无掩模光刻技术是解决掩模成本问题的潜在方案, 是下一代光刻技术的研究热点。目前无掩模光刻主要是电子束光刻, 虽然有着非常高的光刻精度, 但效率极低, 自20 世纪80 年代诞生以来一直都不能适用于生产线, 且设备昂贵。为此, 许多研究单位把多光束光刻作为提高光刻速度的解决途径进行研究。目前, 多电子束光刻的开发商有MapperLitho graphy 、Mult ibeam Sy stem、I MS Nanofabrication、美国MIT 实验室等 , 它们都有各自的技术或产品; ASML、美国贝尔实验室等单位也都在致力于开发无掩模光刻技术。 2 光刻技术应用 2.1 电子学器件方面： 光刻工艺是微电子技术的核心技术之一，是一种最精密的 半导体晶片表面图形加工技术。在微电子领域，光刻技术主要向细、精、薄三个方向发展。随着集成度的提高，光刻技术所面临的困难也越来越多。为了解决这些问题，人们想出许多新的光刻技术，比如有193nm浸入式技术、157nm光刻技术，极短紫外光刻技术、电子束投影光刻和纳米压印光刻等。激光全息光刻技术是一种基于相干光干涉效应的无掩模版光刻技术，为微电子技术的发展又注入了新的动力。 2.2 光学器件方面： 光刻技术被广泛用于制作各种光栅，光子晶体等微纳光学元件。早在80年代中期,Ⅲ-Ⅴ族化合物光电子器件的制备就用到了激光全息光刻技术,其中研究最多的是用全息光刻直接形成分布反馈(DFB)半导体激光器的光栅结构。Aoyagi和Podlesnik等人用Ar+激光和I2(0.1%)+KI(10%)及H2O2∶H2SO4∶H2O的腐蚀液在GaAs表面上实现了DFB激光器光栅的制备. 激光全息光刻技术的基本应用是制备各种大面积、高分辨率、小畸变的光致抗蚀剂浮雕光栅，而这些介质光栅又是制作半导体集成光学器件核心结构—衍射光栅的必不可少的刻蚀掩膜。因此，从1969年米勒(M·E·Miller)提出集成光学概念以来，激光全息光刻就与集成光学迅速结成良缘。Savas等利用消色差的干涉光刻法得到了周期为100nm的光栅，Chang等得到了周期为50nm的光栅. 　多光束光刻系统 在新型无掩模光刻技术中, 一些基于MEMS技术的SLM(spatial light modulator,空间光调制器)被不断应用, 生成数字掩模或是作为光开 关，如GLV(silicon light machines 光栅光阀)和TI公司的数字微反射镜(DMD）等。该系统采用TI公司微反射镜阵列作为空间光开关进行多光束开关控制, 系统组成如下: 光源　405 nm 半导体激光器, 功率30 mW。 聚焦器件　波带片阵列, 理论焦距60. 75 um,分辨率400 nm; 纳米透镜阵列, 理论焦距15 um, 分辨率250 nm。 DMD　TI Discovery 4000 开发板, 1024×768像素, 适用于蓝紫光波段。 扫描平移台　六轴, 压电陶瓷控制, 最小步距50 nm, 重复定位精度7 nm。 其他　扩束准直镜、4f 空间滤波系统、CCD观测系统、PSD 调平系统、光谱测厚仪调焦系统等, 系统示意图如图1 所示。 图1　多光束无掩模光刻实验系统示意图 系统工作原理: 半导体激光器所发出的加工激光首先经过准直扩束, 以一定角度投射到空间光调制器DMD 上, 经过DMD 后光束被调制为多束光,每束光单独控制后面的一个聚焦微镜, 然后, 光束以点阵光斑的形式汇聚到涂有光刻胶的硅片上。根据所需加工的图案编程控制从DMD 反射出光束的开断, 同时, 计算机控制精密移动工作台进行扫描, 形成所需图案, 最后对所有透镜扫描出的图形进行拼接, 即可得到所需要的光刻图案。 　DMD 成像系统 DMD 的成像系统为4F 系统, 如图2 所示,DMD 被放置在4F 系统第一个透镜的前焦面上, 滤波器放置在第一个透镜的后焦面, 则第二个透镜的前焦面即为DMD 所在光场的傅里叶变换, 此傅里叶变换经第二个透镜成像在其后焦面上的透镜阵列上。控制DMD 面上不同像素的开关, 根据其后傅里叶反变换后所成的像, 即可控制透镜阵列上的光通断。 图2　DM D 的成像系统