材料物理课件第三章光伏材料物理概述精品.pptVIP

太阳电池的开发背景 光伏效应的基本原理 太阳电池的发展历程(类型) 无机纳米晶/有机半导体杂化太阳电池 太阳能电池测试方法 太阳能电池测试的光源 发光二极管：Light Emitting Diode，在电场作用下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入，空穴和电子在发光层中相遇、复合形成激子，激子经过驰豫、扩散、迁移等过程复合而产生光子。 理想太阳电池的等效电路：在恒定光照下，光电流是恒定的，它一部分流经负载，在负载两端建立起端电压；另一部分作用于p-n结，形成正向偏置，引起一股与光电流方向相反的暗电流。 实际太阳电池的等效电路：实际工作的太阳电池由于电极的接触和材料本身的电阻率，存在着串联电阻的损耗；电池边沿的漏电和电池的微裂纹、划痕等造成的金属桥漏电，相当于并联电阻的损耗。 单晶硅太阳电池的制作过程： ①砂子还原成冶金级硅：石英砂(SiO2)在电弧炉中用C还原为Si和CO，纯度一般95-99%，杂质为Fe、Al、Ga、Mg等。②冶金级硅提纯为半导体级硅：由工业硅制成硅的卤化物(如三氯硅烷，四氯化硅)通过还原剂还原成为元素硅，最后长成棒状(或针状、块状)多晶硅。③半导体级硅转变为硅片：多晶硅经过区熔法(Fz)和坩埚直拉法(CG)制成单晶硅棒。④硅片制成太阳电池：主要包括表面准备（化学处理和表面腐蚀）、扩散制(P-N)结、去边、去除背结、制作上下电极、制作减反射膜等。⑤太阳电池封装成电池组件：将若干单体电池串、并联连接并严密封装成组件，主要有上盖板、粘接剂、底板、边框等部分。 单晶硅太阳电池 块状多晶硅太阳电池 第一代太阳电池Silicon based 多晶硅薄膜太阳电池 薄膜多元化合物太阳电池 单层结构 双层异质结 本体异质结 无机/有机杂化太阳电池 非晶硅薄膜太阳电池 叠层太阳电池 染料敏化太阳电池 量子点太阳电池 热载流子太阳电池 多能带太阳电池 热光伏太阳电池 有机化合物太阳电池 第二代太阳电池thin films 第三代太阳电池new concept 硅材料太阳电池： ①单晶硅太阳电池： 以纯度为99.999%的单晶硅棒为原料制作而成，工艺复杂，电耗很大。目前单晶硅太阳电池的光电转换效率为15%左右，实验室可达25%，其理论最高效率为32%左右。 ②多晶硅太阳电池：按结构可分为两种，一种是块状(bulk)，多半是用含有大量单晶颗粒的集合体，或用废次单晶硅料和冶金级硅材料熔化浇铸而成。制作工艺与单晶硅太阳电池相似，但材料制造简便，成本较低。另一种是薄膜状(thin-film),多采用化学气相沉积法(CVD)和液相外延法(LPPE)、溅射沉积法制备。多晶硅薄膜电池成本远低于单晶硅电池，而效率高于非晶硅薄膜电池。多晶硅太阳电池目前光电转换效率12%左右，实验室可达19.8%。 ③非晶硅太阳电池：于1976年出现，硅材料消耗少，电耗低，常用辉光放电法、反应溅射法、化学气相沉积法、电子束蒸发法和热分解硅烷法制备。其光电转换效率较低，为10%左右，实验室可达14.5%。 多元化合物薄膜电池： ①砷化镓(GaAs)化合物薄膜太阳电池：砷化镓属于Ⅲ-Ⅴ化合物半导体材料，能隙(band gap，又叫禁带宽度forbidden bandwidth)为1.4eV，并且耐高温性强，最高转换效率可达30%。砷化镓系列太阳能电池包括单晶GaAs、多晶GaAs、镓铝砷-GaAs异质结、金属-半导体GaAs、金属-绝缘体-半导体GaAs、GaSb（锑化镓）、GaInP等。 ② 硫化镉(CdS)和碲化镉(CdTe)化合物薄膜电池：效率在10%以上。 ③铜铟硒(CuInSe2，CIS)和铜铟镓硒(CuInxGa1-xSe2，CIGS)化合物薄膜电池：CIS材料的能降为1.1eV，是良好的太阳能电池半导体材料，价格低廉、性能良好，目前光电转换效率约在15%左右。 在无机半导体中，原子间因存在很强的相互作用(共价键或离子键)从而形成三维的周期晶格结构，原子间能级的重叠形成能带。而有机半导体中分子间只有很弱的范德华力结合在一起，导致分子的LUMO和HOMO之间相互作用力太弱不能形成导带和价带 (也可称之为“导带、价带”)。电子需要克服较大势垒而不能在分子间进行公有化运动，只能是以“跳跃”的方式运动，因此其载流子迁移率比无机半导体小很多。此外，无机半导体中吸收一定能量的光子后将会产生分离的自由电子和空穴，而有机半导体中产生的电子将束缚在空穴周围，形成呈电中性的电子空穴对-激子(exciton)。 有机半导体材料也可区分为p-型与n-型的两大类， 缺电子型或可用作电子受体(Acceptor)的被称为n-型的有机半导体材料；而富电子型的或可用作电子给体(Donor)的化合物，则称为p-型半导体，因此p-n异质