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微电子工艺 雷鑑铭 博士 华中科技大学电子科学与技术系 2005年7月 华中科技大学电子科学与技术系 课程介绍 教材：《半导体制造技术》韩郑生 译 电子工艺出版社出版 学时：24 参考书： 1、《芯片制造》 2 、《微电子科学原理与工程技术》 华中科技大学电子科学与技术系 课程讲授内容： 一.微电子工艺概述 二.微电子工艺步骤介绍 1. 洁净室和清洗 2. 氧化和化学气相淀积 3. 光刻和腐蚀 4. 扩散和离子注入 5. 金属连接和平面化 三. 标准CMOS工艺流程 华中科技大学电子科学与技术系 1、初始清洗 • 初始清洗就是将晶圆放入清洗槽中，利用化学或物理的 方法将在晶圆表面的尘粒或杂质去除，防止这些杂初始 清洗就是将晶圆放入清洗槽中，利用化学或物理的方法 将在晶圆表面的尘粒或杂质去除，防止这些杂质尘粒， 对后续的工艺造成影响，使得器件无法正常工作。 华中科技大学电子科学与技术系 2、前置氧化 • 利用热氧化法生长一层二氧化硅薄膜，目的是为了降 低后续生长氮化硅薄膜工艺中的应力(stress)，氮化硅 具有很强的应力，会影响晶圆表面的结构，因此在这 一层氮化硅及硅晶圆之间，生长一层二氧化硅薄膜来 减缓氮化硅与硅晶圆间的应力。 华中科技大学电子科学与技术系 3、淀积氮化硅 • 利用低压化学气相沉积（LPCVD ）的技术， 沉积一层氮化硅，用来做为离子注入的mask 及后续工艺中，定义P型井的区域。 华中科技大学电子科学与技术系 4、P阱的形成 •将光刻胶涂在晶圆上之后，利用光刻技术， 将所要形成的P型阱区的图形定义出来，即将 所要定义的P型阱区的光刻胶去除掉。 华中科技大学电子科学与技术系 5、去除氮化硅 • 将晶圆表面的氮化硅，利用干法刻蚀的方法 将其去除掉。 华中科技大学电子科学与技术系 6、P阱离子注入 • 利用离子注入的技术，将硼打入晶圆 中，形成P型阱。接着利用无机溶液， 如硫酸或干式臭氧（O3）烧除法将光刻 胶去除。 华中科技大学电子科学与技术系 7、P阱退火及氧化层的形成 • 将晶圆放入炉管中，做高温的处理，以达到硅晶圆退 火的目的，并且顺便形成一层n型阱的离子注入mask 层，以阻止下一步骤中﹝n型阱的离子注入﹞，n型掺 杂离子被打入P型井内。 华中科技大学电子科学与技术系 8、去除氮化硅 • 将晶圆表面的氮化硅，利用热磷酸 湿式蚀刻的方法将其去除掉。 华中科技大学电子科学与技术系 9、N阱离子注入 • 利用离子注入技术，将磷打入晶圆中， 形成n型阱。而在P型阱的表面上由于有 一层二氧化硅膜保护，所以磷元素不会 植入打入P型阱之中。 华中科技大学电子科学与技术系 10、N 阱退火 • 离子注入之后会严重地 破坏硅晶圆晶格的完整 性。所以掺杂离子注入 之后的晶圆必须经过适 当的处理以回复原始的 晶格排列。退火就是利 用热能来消除晶圆中晶 格缺陷和内应力，以恢 复晶格的完整性。同时 使注入的掺杂原子扩散 到硅原子的替代位置