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固体的电子结构与相变 固体的电子结构与相变 NO 何为相变? 相：指的是系统中物理性质均匀的部分，它以化学组成,分子聚集状态或晶体结构的不同相区分。 生活中有很多相变,比如: 水的蒸发 水的凝固 升华 固体的相变 相变材料(PCM-Phase Change Material)是指随温度变化而改变物理性质并能提供潜热的物质。 转变物理性质的过程称为相变过程，这时相变材料将吸收或释放大量的潜热。 按原子迁移情况，相变种类可分为: （1）扩 散 型：依靠原子的长距离扩散；相界面非共格。 （如珠光体、奥氏体转变，Fe、C都可扩散。） （2）非扩散型：旧相原子有规则地、协调一致地通过 相邻关系不变；化学成分不变。（如马氏体转变，Fe、C都不扩散。） （3）半扩散型：既有切变，又有扩散。（如贝氏体转变，Fe切变、C扩散。） 根据相变前后热力学函数的变化分类: 一级相变：在临界温度、压力时，化学位的一阶偏导数不相等的相变。 二级相变：在临界温度、临界压力时，化学位的一阶偏导数相等，而二阶偏导数不相等的相变。 三级相变：在临界温度、临界压力时，一阶、二阶偏导数相等，而三阶偏导数不相等的相变。 金属中的一级相变： 一 相变纳米线的聚合及特征 论文出处： Synthesis and Characterization of Phase-Change Nanowires Stefan Meister, Hailin Peng Department of Materials Science and Engineering, Stanford UniVersity, Stanford, California 94305, and Electron Microscope DiVision, Hitachi High Technologies America, Inc., 5100 Franklin DriVe, Pleasanton, California 94588 1、纳米线 纳米线：一种具有在横向上被限制在100纳米以下（纵向没有限制）的一维结构。典型的纳米线的纵横比在1000以上。 根据组成材料的不同，纳米线可分： 金属纳米线 半导体纳米线 绝缘体纳米线。 通常情况下，随着尺寸的减小，纳米线会体现出比大块材料更好的机械性能。强度变强，韧度变好。 这是为什么??? 回顾纳米材料特有效应： 颗粒尺寸小、表面积大、表面能高、表面原子所占比例大等特点，及特有的三大效应：表面效应、小尺寸效应和宏观量子隧道效应。 如：原本导电的铜到某一纳米级界限就不导电，原来绝缘的二氧化硅、晶体等，在某一纳米级界限时开始导电。 由于缺乏生产其纳米结构的方法，尺度依赖性能并没有得到充分的研究，但相变存储材料依然激发了大量科研人员的兴趣。 本论文通过vapor-liquid-solid增长机制合成和表征GeTe和Sb2Te3相变纳米线。 原生GeTe纳米线有三种形态：直单晶GeTe纳米线、螺旋斜六方的GeTe纳米线和GeO2非晶纳米线。所有的Sb2Te3纳米线为单晶。 2、VLS生长机制 气-液-固（VLS）生长技术被广泛的应用于纳米线、纳米棒的生长。 VLS 是一个比较古老的一种生长机理。1964年，Wagner 和Ellis在研究单晶Si生长时，发现了被称之为VLS的晶须生长方法，其原理可用Au为生长剂,Si晶须的生长来说明生长过程。 此法已经成功的应用于GaAs、Ge、GaP、SiC、ZnS、B、Si 等晶须的生长。 例如，Yumoto 等人利用 VLS 自组装生长机理，成功的制备出了銦锡氧化物晶须。 这意味着，只要有合适的生长剂，许多物质均可用此法制备出晶须。 作为 VLS 生长的生长剂满足的四个条件： 1. 催化剂的分散系数应远小于需要合成的物质，否则，催化剂会很快被耗尽； 2. 催化剂不与合成的物质发生化学反应； 3. 液相合金中生长剂的平衡蒸气压应足够小； 4. 在合成物质顶上的液相合金液滴与晶须的浸润角应该足够大，精确些讲，为了能够稳定地合成晶须，接触角应当大于90°，最佳范围在90°-120°之间。 2、本论文所用方法 该论文用VLS法生长制作GeTe(GT)和Sb2Te3(ST)相变纳米线，金纳米粒子作为催化剂。由于其快速结晶和无定形状态之间的可逆变化温度与其设备兼容，因此Ge-Sb-Te族(GST)材料是最重要的相变存储设备。 GeTe和Sb2Te3是Ge-Sb-Te族中两个重要的材料并且是制作三元合金的基础。 Ge2Sb2Te5： Tm=610°C Tg=350°C GeTe：