《2016-2016学年二学期电子线路期中考试试卷(A卷)》.docVIP

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《2016-2016学年二学期电子线路期中考试试卷(A卷)》.doc

山西大学 《模拟电子技术基础》期末考试试卷(A卷) 题号 一 二 三 四 五 总分 分数 阅卷人 题目部分,(卷面共有44题,100分,各大题标有题量和总分) 评卷人 得分 一、选择题(10小题,共10分) 1.选择正确答案填空。1.若石英晶体中的等效电感,动态电容及静态电容分别用L、C及C0表示,则在其损耗电阻时,则石英晶体的串联谐振频率____,并联谐振频率____。 A、,B、,C、 2.根据石英晶体的电抗频率特性,欲使晶体呈电阻性,应使____;欲使晶体呈电感性,应使____;欲使晶体呈电容性,应使____。 A、,B、,C、,而小于,D.小于,或大于 3.石英晶体的与的数值越接近,则要求C0值____。 A、B、 2.已知图示电路中晶体管的 =100,=1k,估算该电路电压放大倍数约为_________ (A、1 B、10 C、100____(A、10 B、1k C、100k 3.在如图所示电路中,已知输入电压为正弦波;运算放大电路为理想运放;两只三极管饱和管压降,集电极最大允许功率损耗。 1.负载电阻上可能获得的最大输出功率=( ); A、28W B、14W C、9W 2时,OCL电路的效率( ); A、78.5% B、60%小于78.5% C、50% 3.若最大输入电压的有效值,则R2的下限值应取为( )。 A、 B、 C、 NPN和PNP型晶体管的区别取决于____ A、 B、 C、 D、PN区的位置不同。 2.N沟道和P沟道场效应管的区别在于____ A、 B、 N型,后者为 P型, C、 5.已知图中二极管的反向击穿电压为100V,在V=10V时,测得I=1(A 。 1.当V增加到20V时,I将____。 A、2(A 左右, B、1(A , C、 D、2(A 2.保持V不变,温度升高10℃,则I将____。 A、2(A 左右, B、1(A , C、 D、2(A 6.因为变压器耦合放大电路(((((A、各级静态工作点Q相互独立,B、Q点相互影响,C、各级Au相互影响,D、Au互不影响),所以这类电路(((((A、温漂小,B、能放大直流信号,C、放大倍数稳定),但是(((((A、温漂大,B、不能放大直流信号,C、放大倍数不稳定)。 7.设某二极管在正向电流ID=10mA时,其正向压降UD=0.6V。在UD保持不变的条件下,当二极管的结温升高10℃,ID将____。 A、10mA, B、10mA, C、10mA 8.分别指出下列传递函数表达式各表示哪一种滤波电路 (A、 B、 C、 D、 E、 1. 2. 9.某放大电路电压放大倍数的折线近似幅频特性如图所示。由此可知中频电压放大倍数为____(A、40 B、100 C、10000____(A、10Hz B、100Hz C、1000Hz____(A、100kHz B、1MHz C、10MHz____(A、40dB B、3dB, C、37dB) 10.图示运算电路中,A1、A2为理想运算放大器。 1.甲、乙两同学在推导输出电压的表达式时,得到如下不同的结果。你认为谁的答案正确? 甲:由、,故有 乙:将表示为、两个对地电压之差,故有 2.若已知 ,、, 当时,你认为输出电压=? 评卷人 得分 二、是非(10小题,共10分) 1.由于晶体管的发射区和集电区的掺杂浓度不同,所以发射极和集电极互换后电流放大能力大大减小。( ) 2.输入电阻是从放大电路输入端看进去的交流等效电阻。( 〕 3.直流放大器必须采用直接耦合方式( ),所以它无法放大交流信号( )。 4.在阻容耦合放大电路中,增大耦合电容的容量,有利于高频信号畅通,因此可以改善高频响应特性。( ) 5.放大直流信号,只能采用直接耦合方式。( ) 6.判断下列说法是否正确。 1.在单相桥式整流、电容滤波电路中,若RLC=(3~5)T/2(C为滤波电容,RL为负载电阻,T为电网电压的周期)时,整流电路中二极管的导通角一定小于;( ) 2.在单相桥式整流、电感滤波电路中,若滤波电路输入电压波形与整流电路带纯电阻负载时相同,则整流电路中二极管的导通角约为;( ) 3.在单相桥式整流、LC滤波电路中,若滤波电路输入电压波

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