arm嵌入式原理技术及应用ch-6.ppt

2.存储器的控制寄存器 内存控制器为访问外部存储空间提供存储器控制信号， S3C2410X存储器控制器共有13个寄存器。 1）总线宽度和等待控制寄存器 Tacs：设置nGCSn有效前地址的建立时间 00：0个；01：1个；10：2个；11：4个时钟周期 Tcos：设置nOE有效前片选信号的建立时间 00：0个；01：1个；10：2个；11：4个时钟周期 Tacc：访问周期 000：1个；001：2个；010：3个；011：4个时钟 100：6个：101：8个；110：10个；111：14个 Tcoh：nOE无效后片选信号的保持时间 00：0个；01：1个；10：2个；11：4个时钟 Tcah： nGCSn无效后地址信号的保持时间 00：0个；01：1个；10：2个；11：4个时钟 Tacp：页模式的访问周期 00：2个；01：3个；10：4个；11：6个时钟 PMC：页模式的配置，每次读写的数据数 00：1个；01：4个；10：8个；11：16个 注：00为通常模式。 注：红色为初始的配置，其值为0x0700 MT：设置存储器类型 00：ROM或者SRAM，[3：0]为Tacp和PMC； 11：SDRAM， [3：0]为Trcd和SCAN； 01、10：保留 Trcd：由行地址信号切换到列地址信号的延时时钟数 00：2个时钟；01：3个时钟；10：4个时钟 SCAN：列地址位数 00：8位； 01：9位； 10：10位 REFEN：刷新控制。 1：使能刷新；0：禁止刷新 TREFMD：刷新方式。 1：自刷新 0：自动刷新 Trp：设置SDRAM行刷新时间（时钟数） 00：2个时钟；01：3个；10：3个；11：4个时钟 Tsrc：设置SDRAM行操作时间（时钟数） 00：4个时钟；01：5个；10：6个；11：7个时钟 注： SDRAM的行周期= Trp + Tsrc。 Refresh_count：刷新计数值 Refresh_count：刷新计数器值 计算公式： 刷新周期=（211- Refresh_count+1）/HCLK 在未使用PLL 时，SDRAM 时钟频率等于晶振频率12MHz ; SDRAM 的刷新周期在SDRAM 的数据手册上有标明，在本开发板使用的SDRAM HY57V561620CT -H的数据手册上，可查得刷新周期＝64ms/8192=7.8125 us 。 对于本实验，R_CNT = 2^11+l-12 * 7.8125=1955, REFRESH=0x008e0000+1955= 0x008e07a3。 高24位未用。 BURST_EN：ARM突发操作控制 0：禁止突发操作；1：可突发操作 SCKE_EN：SCKE使能控制SDRAM省电模式 0：关闭省电模式；1：使能省电模式 SCLK_EN：SCLK省电控制，使其只在SDRAM访问周期内使能SCLK 0：SCLK一直有效；1：SCLK只在访问期间有效 BK76MAP：控制BANK6/7的大小及映射 BK76MAP：控制BANK6/7的大小及映射 100：2MB； 101：4MB； 110：8MB 111：16MB； 000：32MB； 001：64MB 010：128MB WBL：突发写的长度。0：固定长度；1：保留 TM：测试模式。 00：模式寄存器集；其它保留 CL：列地址反应时间 000：1个时钟；010：2个时钟； 011：3个时钟；其它保留 BT：猝发类型 0：连续； 1：保留 BL：猝发时间 000：1个时钟；其它保留 2. Nand Flash及其控制器 1）Nand Flash控制器概述 S3C2410X微控制器从Nand flash的引导功能：其内部有一个叫做“起步石（Steppingstone）”的 SRAM缓冲器，系统 启动时，Nand flash存储器的前面4KByte字节将被自动载入到起步石中，然后系统自动执行这些载入的引导代码。引导代 码执行完毕后，自动跳转到SDRAM执行。 Nand flash操作的校验功能：使用S3C2410X内部硬件ECC功能可以对Nand flash的数据进行有效性的检测。 2） Nand Flash控制器主要特性 Nand Flash模式：支持读/擦/编程Nand flash存储器。 自动导入模式：复位后，引导代码被送入Steppingstone，传送后，引导代码在 Steppingstone中执行。 具有