密集波分复用(DWDM)技术已成为卜.一代光网络的基础,并将在宽带城域网(MAN),局
器件,其性能的优劣成为决定光网络性能的关键。因此,需要研究新材料、提出新机理、开
发新工艺.以进一步完善器件性能、降低成本、提高器件集成度。GaAs/GaAlAs半导体材
料具有良好的电.光性能,更易于实现各种光子器件的单片集成,不易受直流(Dc)漂移及光
损伤的影响,是制作单片光子器件的理想材料。本文围绕GaAs/GaAIAs高速OS/M展开工
作,以OS/M的理论分析、优化设计、样品制作及相关测试工作为主要研究内容。
第一章首先简要回顾了DWDM光网络及其关键光予器件的发展历程,全面介绍了
OS/M的工作机理、主要分类及国内外研究现状,描述了OS/M的主要性能指标,综述并评
价了模拟分析OS/M光波特性的主要理论方法,总结了OS/M的主要制作工艺。
第二章建立了模拟分析OSfM光波特性的数理模型。包括基于伽辽金法(GM)及变量变
换GM(VTGM)光波导标量,矢量本征值分析数理模型,分析了矩形光波导、脊形光波导和耦
合光波导的标量,矢量本征值问题,获得了本征模的模场分布及其有效折射率;基于VTGM
的标蹙/矢量三维束传播法(3D-VGTM-BPM)数理模型,分析了直脊形光波导,劈形过渡器及
定向耦合器的光波导传输特性。
第三章
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