正常金属%2f半导体%2fd波超导结中的隧穿谱和散粒噪声.pdf

摘要 散粒噪声，是由于电荷的不连续性造成的。散粒噪声的测量可以获得粒子传播过程 中的一些信息，这些信息是用电导无法测量的。最近几年，很多工作者研究了介观系统 的散粒噪声。 我们的模型是考虑一个正常金属／半导体／d波超导体隧道结系统。左边为半无限大 Klapwijk(BTK)理论求解了Bogoliubov-de 公式，计算了正常金属／半导体／d波超导体隧道结系统的隧穿系数；研究了正常金属／半 导体m波超导结的隧穿谱和散粒噪声。由于把半导体层模拟成具有一定厚度的势垒，所 以结果更合乎实际。得到以下结论： 1．在Rashba自旋轨道耦合参数～定的情况下，计算了散粒噪声和隧穿谱随偏压的变 化。结果表明，电子入射角度0．d波超导配对势都可以影响散粒噪声和隧穿谱。证明 了d波超导体表面有零能束缚态存在；Andreev反射电导可以达到正常隧穿电导的两倍； 散粒噪声被抑制的程度很大：半导体宽度L为3毛的整数倍与半导体宽度L为3毛的非 整数倍时的散粒噪声和隧穿谱随偏压的变化有明显的区别。 2．研究了在Rashba自旋轨道耦合参数一定的情况下，散粒噪声和隧穿谱随半导体宽 度L的变化。发现：随着半导体宽度L的增加，散粒噪声谱的共振峰的个数发生变化； 平均电流对角度的依赖性很大；随着半导体宽度L的变化，平均电流谱出现了峰值，并 且平均电流很好的被抑制；随着半导体宽度L的增大，电导增大。 道耦合的存在对散粒噪声和隧穿谱没有明显的影响。 关键字：d波超导体散粒噪声隧穿谱Andreev反射Rashba自旋轨道耦合 Ⅱl Abstract Theshotnoiseisa ofthediscretenature consequence ofthe carriers．The charge measurementoftheshotnoise on informationtheconductionnot c锄provide process contained thelastfew inconductance．In attentionhasbeen tothe of years，much paid study in shotnoisethe systems． mesoscopic Oux in modelconsideredthisworkisanormalmetal／semiconductor／d-wave supercon— tunnel lett duetur electrodeisthenormal oneisthe junctionsystem．The metal，theright d-wave andthemiddleisthes删。Dndud[or．Basedon superconductor, part the Bogolinbov-de and Genner(BdG)equation theshot were