光伏半导体材料和Cu基存储材料的第一性原理的研究.pdf

＼Y吣帆2Ⅲ7州0呲1Ⅲ删4唑7Ⅶ4心 摘 要 本论文的工作主要包括两部分。第一部分是光伏半导体材料方面的研究工 作，介绍光伏半导体基本性质的研究和分析方法，以及光伏半导体性质随化学 组分的变化趋势，然后阐述半导体合金对半导体性质的细致调节作用，并介 elementsubstRution) 绍形成合金的两种重要方法——同价元素替换(isovalent 法和元素置换(elementmutation)法。我们分别以改善CdTe太阳能电池和改 善单晶Si太阳能电池为例，说明两种合金方法在改善光伏半导体性质，寻找或 者设计新型光伏半导体材料方面的重要意义。在研究无缺陷半导体及其合金 例，介绍半导体及其合金缺陷性质研究的各个方面，研究方法以及外界因素的 影响。第二部分是Cu基过渡金属氧化物存储材料的研究工作。这一部分介绍两 种在存储方面具有潜力的Cu基材料，包括通过磁电耦合实现存储的多铁性材 料Cu20Se03和基于电阻高低转换实现存储的二元过渡金属氧化物Cu20。 本论文的具体内容如下： 第一章简要介绍当前功能材料研究领域的两大热点：太阳能光伏材料以及 新一代存储材料。在阐述这些材料对解决当前产业问题的重要性基础上，介绍 这些功能材料的工作原理，材料己知的基本性质和研究现状等。第二章简要介 绍第一性原理计算方法的理论基础，包括从多体问题到单电子问题的简化思想 和近似，以及密度泛函理论等。 第三、四、五、六章介绍光伏半导体材料的研究工作。其中，第三章 质的基本结构和电子结构性质，以及它们之间的带边相对位置等，发现 从MgTe到ZnTe到CdTe，其最高占据态的能级逐渐增大，我们从芯能级绝对 形变势和p—d耦合作用两个方面的影响，解释了这种变化趋势的物理原因。 然后通过构建合理的无序合金结构模型，研究了三种碲化物两两之间形成 的无序合金的性质，包括能隙的弯曲系数，合金结构的稳定性等，揭示了 的(Mg，Cd)Te合金不仅晶格和CdTe非常匹配，而且其形成能很低。这种合金可 以减少Cd元素的使用，同时可以通过调节MgTe的组分(MgTe的含量不能超 万方数据 光伏半导体材料和CU基存储材料的第一性原理研究 过80％)，实现1．48—3．02eV之间的光吸收。 第四章，基于元素置换思想，我们研究了一种新型的半导体合金材料， Si。AlP，它可以看作是SiSHAlP形成的非同价半导体合金。我们对该种材料的 结构进行了系统性的搜索，并分析了其结构的稳定性，表明Cc结构的Si3AlP可 以稳定存在和合成。研究其光学性质发现，Cc结构的Si3AlP具有优于单晶Si的 光学吸收谱，无论在低能量区域(1．5～2．5eV)还是高能量区域(3．O～3．5 eV)，其光吸收均明显大于Si。通过对其电子结构性质的研究，我们解释了它 具有更优异光学性质的物理机制。 第五章介绍对MgTe体系的缺陷性质研究，阐述缺陷性质计算的基本方法， 然后系统性研究了该体系的本征点缺陷，掺杂性质，以及复合缺陷等，包括缺 陷的形成能，缺陷跃迁能级，以及影响缺陷稳定性的各种补偿机制等，并给出 了最有利的缺陷形式及其生长条件。 缺陷能级随晶格常数变化的关系，发现％。的缺陷能级随着晶格常数变大有逐 渐变深的趋势，而Cuz。的缺陷能级随着晶格常数的变大而逐渐变浅。我们从 压强效应和p—d耦合效应两个方面解释了这种变化趋势的原因。 第七、八章介绍Cu基过渡金属氧化物存储材料的研究工作。其中，第七章 介绍对多铁性材料Cu20Se03的研究，阐述研究多铁性材料的自旋哈密顿量模 型和推导自旋相互作用参数