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PECVD 下基底温度对SiC 薄膜形态, 成分及生长速度的影响.pdf
第 28 卷 第 2 期 无 机 材 料 学 报 Vol. 28 No. 2
2013 年 2 月 Journal of Inorganic Materials Feb., 2012
文章编号: 1000-324X(2013)02-0201-06 DOI: 10.3724/SP.J.1077.2013.12203
PECVD 下基底温度对 SiC 薄膜形态、成分及生长速度的影响
1,2 2 2 2 2 2
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