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大容量NAND Flash TC58DVG02A1FT00在嵌入式系统中的应用 [日期：2005-2-22] 来源：国外电子元器件? 作者：袁文菊 孙天泽 付晓江 [字体：大 中 小] 　?? 摘要：随着嵌入式系统产品的发展，对存储设备的要求也日益增强。文章以东芝的NAND E2PROM器件TC58DVG02A1F00为例，阐述了NAND Flash的基本结构和使用方法，对比了NAND和NOR Flash的异同，介绍了容量NAND Flash在嵌入式系统中的应用方法，以及如何在Linux操作系统中加入对NAND Flash的支持。 嵌入式 NAND Flash Linux 内核 TC58DVG02A1F00 1 NAND和NOR flash 目前市场上的flash从结构上大体可以分为AND、NAND、NOR和DiNOR等几种。其中NOR和DiNOR的特点为相对电压低、随机读取快、功耗低、稳定性高，而NAND和AND的特点为容量大、回写速度快、芯片面积小。现在，NOR和NAND FLASH的应用最为广泛，在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards、MMC存储卡以及USB闪盘存储器市场都占用较大的份额。 NOR的特点是可在芯片内执行（XIP，eXecute In Place），这样应该程序可以直接在flash内存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，但写入和探险速度较低。而NAND结构能提供极高的单元密度，并且写入和擦除的速度也很快，是高数据存储密度的最佳选择。这两种结构性能上的异同步如下： *NOR的读速度比NAND稍快一些。 *NAND的写入速度比NOR快很多。 *NAND的擦除速度远比NOR快。 *NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路也更加简单。 *NAND闪存中每个块的最大擦写次数量否万次，而NOR的擦写次数是十万次。 此外，NAND的实际应用方式要比NOR复杂得多。NOR可以直接使用，并在上面直接运行代码。而NAND需要I/O接口，因此使用时需要驱动程序。不过当今流行的操作系统对NAND Flash都有支持，如风河（拥有VxWorks系统）、微软（拥有WinCE系统）等公司都采用了TrueFFS驱动，此外，Linux内核也提供了对NAND Flash的支持。 2 大容量存储器TC58DCG02A1FT00 2．1 引脚排列和功能 TC58DVG02A 1FT00是Toshiba公司生产的1Gbit(128M×8Bit)CMOS NAND E2PROM，它的工作电压为3.3V，内部存储结构为528 bytes×32pages×8192blocks。而大小为528字节，块大小为（16k+512）字节。其管脚排列如图1所示。各主要引脚如下： I/O1~I/O8：8个I/O口； CE：片选信号，低电平有效； WE：写使能信号，低电平有效； RE：读使能信号，低电平有效； CLE：命令使能信号； ALE：地址使能信号； WP：写保护信号，低电平有效； RY/BY：高电平时为READY信号，低电平时为BUSY信号。 2．2 与ARM处理器的连接 当前嵌入式领域的主流处理器当属ARM。图2是以ARM7处理器为例给出的NAND Flash与ARM处理器的一般连接方法。如前所述，与NOR Flash不同，NAND Flash需要驱动程序才能正常工作。 图中PB4，PB5，PB6是ARM处理器的GPIO口，可用来控制NAND Flash的片选信号。CS1是处理器的片选信号，低电平有效。IORD、IOWR分别是处理器的读、写信号，低电平有效。写保护信号在本电路中没有连接。 2．3 具体操作 地址输入，命令输入以及数据的输入输出，都是通过NAND Flash的CLE、ALE、CE、WE、RE引脚控制的。具体方式如表1所列。表1 逻辑表 　 CLE ALE CE WE RE 命令输入 1 0 0 时钟上升沿 1 数据输入 0 0 0 时钟上升沿 1 地址输入 0 1 0 时钟上升沿 1 串行数据输出 0 0 0 1 时钟下降沿 待机状态 X X 1 X X NAND Flash芯片的各种工作模式，如读、复位、编程等，都是通过命令字来进行 控制的。部分命令如表2所列。表2 命令表 　 第一周期（Hex） 第二周期（Hex） 串行数据输入 80 无 读模式1 00 无 读模式2 01 无 读模式3 50 无 复位 FF 无 自动编程（真） 10 无 自动编程（假） 11 无 自动块删除 60 D0 状态读取1 70 无 状态读取2 71 无 ID读取1 90 无 ID读取2 91 无 串行数据输入的命令80表示向芯片的IO8、IO7、IO6、