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* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 第5章 半导体存储器 南京航空航天大学 电子信息工程学院 擦除时间≈10ms 典型芯片 Intel 2864, 8K×8 引脚与EPROM 2764 完全兼容 最大存取时间200ns，编程和工作电压均为+5V AT24CxxA 3. OTPROM（One Time PROM） 除了没有擦除窗口，其他工艺与EPROM完全相同。可用普通 编程器对其编程（只能一次）。 第5章 半导体存储器 主要的闪存技术—— NOR：并行总线，易与CPU总线相连，芯片内执行特性。 用于存放程序/数据。 典型芯片 28F001 128K*8 CMOS FM(兼容F010) 28F200BX(=002) 128K*16，256K*8) HN28F101 128K*8位(12V Vpp/5V