基于分子量级的化学机械抛光材料去除机理.pdfVIP

维普资讯 第 28卷 第 2期 半 导 体 学 报 Vo1．28 No．2 2007年 2月 CHINESEJOURNALOFSEMIC0NDUCTORS Feb．，2007 基于分子量级的化学机械抛光材料去除机理* 王永光 赵永武 (江南大学机械工程学院，无锡 214122) 摘要 ：Katsuki采用原子力显微镜 (AFM)模拟单个磨粒与芯片的划痕作用 ，文 中以此为基础使用线性 回归的方法 计算了化学机械抛光 (CMP)中实际载荷情况下的划痕深度数量级为 1O in；Nishizawa应用椭圆偏振光谱仪(SE) 测试了氧化薄膜厚度和反应时间的关系，并结合理论计算得到 1．0×10 S内氧化薄膜厚度的量级为 10 。m．实验 结果为单分子层材料去除机理提供了依据．最后 ，以此机理为基础，建立了单分子层材料去除模型，结果与他人实 验相吻合，为进一步研究CMP中单分子层材料去除机理提供了理论依据． 关键词：化学机械抛光 ；单分子层机理试验 ；理论模型 EEACC ：2550E；2570 中图分类号：TN305．2 文献标识码：A 文章编号：0253．4177(2007)02．0308．05 此 ，需将实验和理论相结合，来判断 CMP材料 的微 l 引言 观去除机理． 为深入研究 CMP材料的去 除机理 ，本文通过 化学机械抛光 (CMP)是芯片制造过程 中的关 实验的方法，消除其他因素的耦合影响，研究单个磨 键技术 ．目前 CMP机理研究存在很多争议 ~。]，多 粒与芯片的相互作用规律．通过 AFM 实验 、SE实 认为磨粒首先压人芯片表面，然后在芯片表面产生 验和 CMP中材料去除率的计算共同验证单分子层 划痕．但是 ，磨粒压入芯片的深度接近 0．1nmL4]， 材料的去除机理 ． 如此小的量级 ，采用传统 的连续接触理论建立的模 型不是十分合适 ．文献 [73是对机理探讨的深化 ． 2 AFM 实验 Kaufman等人L8]认为在 CMP中，化学作用使芯片 表面形成一层氧化膜，机械作用将该层氧化膜去除、 Katsukil1副采 用 AFM 仪器 (DigitalInstru． Liang等人_9使用 xPs和 AFM探讨 了铜 CMP中 ments，SantaBarbara，CA)研究 了在 KOH 溶液 中 氧化剂浓度和磨粒摩擦磨损特性对材料去除率的影 si针尖在 siO。表面的划痕情况 ．划痕实验使用 si． 响；David等人_1。’H也先后通过实验研究了磨粒 、工 SV 型AFM探针，悬臂梁弹性系数为 20～50N／m， 作压力、氧化剂浓度等因素对钨 CMP材料去除率 长度为 125t~m．通过在 Si(100)芯片上热氧化 SiOz 的影响；Min等人口使用 XPS和AFM研究了不同 薄膜 (100nm)的方法制备样 品．然后将样品依次在 氧化种类对钨 CMP材料去除率 的影响，并研究了 丙酮 、酒精和去离子水 中使用超声波清洗仪先后清 形成氧化薄膜的特性．Zhang等人[1。采用分子动力 洗 5，5和 lmin，清洗结束后烘干 ．实验分两部分完 学模拟金刚石磨粒切削单晶硅发现 ：在传统 的CMP 成 ：(1)在 tap．contact．tap(TCT)模式下，利用 AFM 过程中，磨粒的运动不会在芯片表面产生犁削作用． 探针针尖与芯片的相互作用模拟 CMP过程 中单个 Rajendran等人[143使用 ceO2磨粒