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湿法刻蚀的缺点：图形受晶向限制，深宽比较差，倾斜侧壁，小结构粘附。 三、干法刻蚀 狭义的干法刻蚀主要是指利用等离子体放电产生的化学过程对材料表面的加工 广义上的干法刻蚀则还包括除等离子体刻蚀外的其它物理和化学加工方法，例如激光加工、火花放电加工、化学蒸汽加工以及喷粉加工等。 干法刻蚀的优点： 具有分辨率高、各向异性刻蚀能力强、腐蚀的选择比大、能进行自动化操作等 干法刻蚀的过程： 刻蚀性气体离子的产生 离子向衬底的传输 吸附及反应 衬底表面的刻蚀 钝化及去除 刻蚀反应物的排除 干法腐蚀的主要形式： *纯化学过程：（等离子体刻蚀) *纯物理过程： (离子刻蚀、离子束刻蚀） *物理化学过程：反应离子刻蚀RIE ，感应耦合等离子体刻蚀ICP. 在物理刻蚀方法中，利用放电时所产生的高能惰性气体离子对材料进行轰击，刻蚀速率与轰击粒子的能量、通量密度以及入射角有关； 在化学刻蚀中，惰性气体（如四氟化碳）在高频或直流电场中受到激发并分解（如形成氟离子），然后与被刻蚀材料起反应形成挥发性物质； 在物理化学结合的方法中，既有粒子与被刻蚀材料的碰撞，又有惰性气体与被刻蚀材料的反应。 反应离子刻蚀 反应离子刻蚀（Reactive ion etch）是在等离子中发生的。 随着材料表层的“反应－剥离－排放”周期循环，材料被逐层刻蚀到制定深度。 衡量反应离子刻蚀的指标： 掩模的刻蚀比 刻蚀的各向异性程度 其它：刻蚀速率、刻蚀均匀性等 等离子刻蚀 利用气体辉光放电电离和分解稳定的原子所形成的离子和活性物质，与被刻蚀的固体材料作用，产生挥发性的物质或气态产品。 刻蚀过程主要是化学反应刻蚀，是各向同性的，主要作为表面干法清洗工艺。 离子轰击的作用： 1.将被刻蚀材料表面的原子键破坏； 2.将再淀积于被刻蚀表面的产物或聚合物打掉 DRIE、ICP刻蚀工艺 1.现象 （1）各向同性刻蚀 （2）各向异性刻蚀 （3）溅射刻蚀 等离子体刻蚀的主要现象和特点 （1）速率高 （2）环境清洁，工艺兼容性好。 （3）掩膜选择性好 30：1 （4）表面光洁度好，应力集中少 （5）无晶向限制 主要特点 （1）好的截面形状，易于满足铸模要求。 （2）高的腐蚀速率，适于体硅要求。 （3）利用各向同性腐蚀，满足牺牲层腐蚀要求。 （4）可用于活动结构制作。 （5）可用于高深宽比结构制作。 适应性 反应离子深刻蚀 改善刻蚀的方向性，即各向异性，一直是反应离子刻蚀技术发展过程中不懈追求的目标。 完全化学刻蚀是各向同性的，完全的物理刻蚀虽然有很好的方向性，但有很差的选择性，即掩模本身经受不了长时间的刻蚀。 电感耦合等离子体（ICP），Bosch工艺 反应离子深刻蚀的要求： 需要较高的刻蚀速率，否则刻穿500um厚的硅片需要太长的时间； 需要极好的各向异性，即刻蚀的边壁垂直。 除了离子物理溅射之外，反应离子刻蚀从本质上是各向同性，为了阻止或减弱侧向刻蚀，只有设法在刻蚀的侧向边壁沉积一层抗刻蚀的膜。 离子溅射刻蚀 离子溅射刻蚀是纯粹的物理刻蚀过程，氩气是最通用的离子源气体。 反应气体刻蚀 利用二氟化氙XeF2在气态可以直接与硅反应生成挥发性SiF4产物的性质，可以对硅表面进行各向同性刻蚀。 参数 干法腐蚀 湿法腐蚀 方向性 对大多数材料好 仅对单晶材料（深宽比高达100） 生产自动化程度 好 差 环境影响 低 高 掩模层粘附特性 不是关键因素 非常关键 选择性 相对差 非常好 待腐蚀材料 仅特定材料 所有 工艺规模扩大 困难 容易 清洁度 有条件地清洁 好到非常好 临界尺寸控制 非常好（0.1μm） 差 装置成本 昂贵 较昂贵 典型的腐蚀率 慢（0.1μm/min）到快（6μm/min） 快（1μm/min以上） 操作参数 多 很少 腐蚀速率控制 在缓慢腐蚀时好 困难 干法刻蚀与湿法腐蚀对比 3.2 表面微加工技术 表面微机械加工以硅片为基体，通过多层膜淀积和图形加工制备三维微机械结构。 硅片本身不被加工，器件的结构部分由淀积的薄膜层加工而成，结构与基体之间的空隙应用牺牲层技术，其作用是支撑结构层，并形成所需要形状的最基本过程，在微器件制备的最后工艺中解牺牲层。 表面微加工过程特点： 添加——图形——去除 添加：薄膜沉积技术 图形：光刻 去除：腐蚀技术 表面微加工和IC工艺的区别：形成机械结构！ 硅表面微机械加工是微机械器件完全制作在晶片表面而不穿透晶片表面的一种加工技术。 一般来讲，微机械结构常用薄膜材料层来制作，常用的薄膜层材料有：多晶硅、氮化硅、氧化硅、磷硅酸盐玻璃(PSG)、硼硅酸玻璃(BSG)和金属。 表面微加工 表面微加工技术主要靠在基底上逐层添加材料而构造微结构 表面微加工器件是由三种典型的部件组成：⑴牺牲层；⑵微结构层；⑶绝缘层部分 基本概念 在微