ch半导体中的电子和空穴..ppt

载流子数目的控制－掺杂 动量空间中的能带图 费米能级Ef 的确定 载流子浓度与温度的关系 晶体中载流子运动中表现出的质量称为有效质量，它反映了晶体内部势场和量子力学效应。 在外力作用下，载流子的运动方程： 1.5 有效质量 ? Si Ge GaAs InAs AlAs mn/m0 0.26 0.12 0.068 0.023 2 mp/m0 0.39 0.3 0.5 0.3 0.3 半导体中总是同时存在电子和空穴。电子和空穴统称为载流子。 电子和空穴的来源：本征热激发、杂质电离。 本征半导体：没有杂质的半导体。本征半导体中载流子来源于本征热激发，电子浓度等于空穴浓度。 杂质半导体：掺有施主或受主杂质的半导体，分为N型和P型。 与载流子有关的术语 N型半导体内电子浓度大于空穴浓度，电子称为多数载流子，空穴称为少数载流子。 P型半导体内空穴浓度大于电子浓度，空穴称为多数载流子，电子称为少数载流子。 导电电子带负电荷，空穴带正电荷，载流子电荷的大小是q，两种类型的载流子q是相同的，q=1.60×10-19C wafer： 尺寸 晶面 导电类型（电阻率） 1.6 态密度－允许的量子态按能量的分布 ：单位体积内能量在E到E+dE之间的量子态数 E D c D v E c E v D E c E v DE 1.7 热平衡与费米分布函数 费米分布函数描述的是在热平衡条件下，能量为E的量子态被电子占据的几率，其数学公式为 f(E) 0.5 1 E 载流子的分布情况～费米能级 Ef在禁带中央以上 Ef在禁带中央 Ef在禁带中央以下 导带内的电子浓度: 价带内的空穴浓度: 对于本征半导体，设 称为本征载流子浓度，温度恒定时为一确定的常数 称为本征费米能级 由上式可得： 非简并 平衡载流子浓度 非简并的半导体的平衡载流子浓度的乘积np等于该温度时的本征载流子浓度ni的平方，与所含杂质无关。 均匀掺杂的半导体内部电中性条件如下： 单位体积内电离施主浓度 单位体积内电离受主浓度 设在室温时，施主和受主杂质全部电离，则有： 电中性条件 杂质半导体多子和少子浓度的计算 在杂质半导体中，多子和少子浓度由以下两式确定 , N型半导体： p型半导体： 在温度高到使 时，所有的半导体都变成本征半导体。 本征费米能级Ei的精确位置 for Silicon 杂质半导体（非简并，全电离） 对于均匀掺杂的半导体，在平衡条件下，费米能级是与位置无关的不变量 N型：Ef在禁带中央以上，P型：Ef在禁带中央以下 费米能级是电子占据能级的标志 本征 N型 P型 10 13 10 14 10 15 10 16 10 17 10 18 10 19 10 20 E v E c E f , D o n o r - d o p e d E f , A c c e p t o r - d o p e d N a or N d (cm -3 ) 3 0 0 K 4 0 0 K 4 0 0 K 3 0 0 K 费米能级与载流子浓度 成键模型 14个电子环绕原子核运动，其运行的轨道是又区别的，各代表一个不同的量子态 在一定条件下，电子可以发生从一个量子态转移到另一个的突变，这种突变称为量子跃迁。 半导体中存在着各种各样的量子态，如共价键上的电子属于一类量子态，它们摆脱共价键后在半导体中作自由运动的状态属于另一类。 掺进半导体的杂质原子可以把电子束缚在它周围，则又是一类量子态。我们所关注的不是单个电子的微观运动，而是大量电子怎样分布在以上各类的量子态中（电子的统计分布） 用价键模型解释掺杂的作用比较容易理解。 但应注意，有效质量是一个张量，而且有效质量的值依赖于不同的测量方法。 费米能级在能带图中位置的确定是非常重要的。 Semiconductor Devices for Integrated Circuits (C. Hu) Semiconductor Devices for Integrated Circuits (C. Hu) Semiconductor Devices for Integrated Circuits (C. Hu) Semiconductor Devices for Integrated Circuits (C. Hu) Semiconductor Devices for Integrated Circuits (C. Hu) Semiconductor Devices for Integrated Circuits (C. Hu) Semiconductor Devices for Integrated Circuits (C. Hu) Semiconductor D