主存储器逻辑设计..ppt

计算机组成原理 ——第4章 主存储器逻辑设计 半导体存储器的组成与控制 1. 存储器容量扩展 位扩展 字扩展 字位扩展 2. 存储控制 集中刷新 分散刷新 异步刷新 3. 存储校验线路 复习（一） RAM存储器芯片总结 RAM存储器芯片有多种型号，每一RAM存储器芯片具有： 地址线Ai：引脚数与存储芯片的单元数有关； 数据线Di：引脚数与存储芯片的字长有关； 复习（二） 例1：某RAM芯片，其存储容量为16K×8位，问： （1）该芯片引出线的最小数目应为多少？ （2）存储器芯片的地址范围是什么？ 复习（三） SRAM芯片2114（1K×4位） 1、存储器容量扩展 1、存储器容量扩展——位扩展 例2 使用8K×1位RAM芯片组成8K×8位的存储器，画出逻辑框图。 分析： ①芯片位数小于存储器所要求的位数，需进行位扩展。 ②8个芯片的关系是平等的，同时工作，并联的，对应的地址一一相连。 ③详细的连接见下图： 8K×1位RAM芯片组成8K×8位的存储器 位扩展总结： 当构成内存的存储芯片的字长 内存单元的字长时，就要进行位扩展，使每个单元的字长满足要求。 位扩展方法： 将每片的地址线、片选CS、读写控制线并联，数据线分别引出。 位扩展特点： 存储器的单元数不变，位数增加。 存储器容量扩展——字扩展 例 使用16K×8位的RAM芯片组成一个64K×8位