半导体工艺基础第六章扩散..ppt

扩散用高温炉 四探针测试仪 探针测试方块电阻示意图 * * 第六章???? 扩散 §6.1 概述 扩散是将一定数量和一定种类的杂质掺入到硅片或其它晶体中，以改变其电学性质，并使掺入的杂质数量和分布情况都满足要求。 这是一种基本而重要的半导体技术。扩散工艺用于形成双极器件中的基区、发射区和集电区、MOS器件中的源区与漏区，扩散电阻、互连引线以及多晶硅掺杂等。 从本质上讲，扩散是微观粒子作不规则热运动的统计结果。这种运动总是由粒子浓度较高的地方向着浓度较低的地方进行，从而使得粒子的分布逐渐趋于均匀；浓度的差别越大，扩散越快；温度越高，扩散也越快。 大量实验证明，在一维情况下，单位时间内垂直扩散通过单位面积的粒子数——即扩散粒子流密度J( x, t )与粒子的浓度梯度成正比，即所谓费克第一定律： （6-1） 式中负号表示扩散是由高浓度处向低浓度处进行；比例常数D是粒子的扩散系数（取决于粒子本身的性质和扩散条件）；D的大小直接表征着该种粒子扩散的快慢。 发生扩散的必要条件是扩散的粒子具有浓度梯度。 对于半导体中杂质原子的扩散，大量事实证明，扩散系数D与温度T（K）之间有如下指数关系： D = D∞e —ΔE/kT （6-2） 其中：ΔE为扩散激活能；D∞ 是一个与温度无关的常数，称为表观扩散系数（即T—∞时的扩散系数）；k是玻尔兹曼常数。 §6.2 扩散机制 半导体中的原子是按一定规则连续排列的。杂质原子扩散到半导体中的方式有两种：半径较小的杂质原子从半导体晶格的间隙中挤进去，即所谓“间隙式”扩散；半径较大的杂质原子代替半导体原子而占据格点的位置，再依靠周围空的格点（即空位）来进行扩散，即所谓“替位式”扩散。 对于具体的杂质而言，究竟采用哪一种方式则取决于杂质本身的性质。如对硅而言，Au、Ag、Cu、Fe、Ni等半径较小的杂质原子按间隙式扩散，而P、As、Sb、B、Al、Ga、In等半径较大的杂质原子则按替位式扩散，间隙式扩散的速度比替位式扩散的速度快得多。 一、间隙式扩散 间隙式扩散指间隙式杂质从一个间隙位置运动到相邻的间隙位置。间隙杂质在间隙位置上的势能是相对极小的，间隙杂质要运动到相邻的间隙位置上，必须要越过一个高度Ei 为0.6~1.2eV的势垒。间隙杂质一般情况下只能在势能极小值位置附近作热振动，振动频率v0为1012 ~1013s-1，平均振动能量约kT（室温下为0.026eV，1200℃高温下为0.13eV）。由于Ei 比kT大得多，因此，间隙杂质只能依靠热涨落以获得大于Ei 的能量后才能跳到近邻的间隙位置上。按照玻尔兹曼统计，发生这种情况的几率正比于exp(-Ei/kT)，则单位时间内间隙杂质越过势垒跳到相邻间隙去的几率即跳跃率为： （6-3） 可见，跳跃率随温度指数式地增加。室温下，硅中间隙杂质以每分钟一次的速度跳跃着，在典型的扩散温度（900℃~1200℃）下，其跳跃速度是很快的。间隙杂质的扩散系数为： （6-4） 二、替位式扩散 占据晶格位置的外来原子称为替位杂质。只有当替位杂质的近邻晶格上出现空位，替位杂质才能比较容易地运动到近邻空位上。在晶格位置上的替位杂质，相对势能最低，而间隙位置处的势能最高。替位杂质要从一个位置运动到近邻格点上，也需要越过一个势垒 Es ，势垒高低位置与间隙杂质的正好相反。 替位杂质的运动与间隙杂质相比，更为困难。首先要在近邻出现空位（形成一个空位所需能量为Ev ），同时还要依靠热涨落获得大于势垒高度Es 的能量才能实现替位运动。替位杂质的跳跃率应为近邻出现空位的几率乘上跳入该空位的几率，即：