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摘要
摘要
IC中最易受辐照损伤的部位。为此，对Si02介质材料辐照效应的研究将会保证
MOS器件及其IC在核辐射环境下使用的可靠性。噪声与材料及器件的内部缺陷密
切相关，可以做为材料及器件无损评估的工具。而si02是一种绝缘材料，为了研
究其抗辐照性能，必须设计能灵敏反映其辐照损伤并便于测试表征参量的样品结
构。
本文为了设计si02介质材料辐照损伤．噪声测试结构，使用低频1／f噪声来表
征其抗辐照性能，主要工作和结论有：
1、深入研究了si02介质材料的辐照效应及噪声产生机制，建立了存在于
陷微观信息的研究，建立起基于辐照前1／f噪声的MOSFET辐照退化模型，并提
可以预测经历一定剂量辐照后分别由氧化层陷阱电荷和界面陷阱电荷诱使的闽值
电压漂移。模型模拟结果与辐照实验实测结果符合良好，证明了所建模型的正确
性。
2、以MOSFET辐照退化噪声表征的定量数学模型做为si02介质材料测试结
构设计的理论模型，制定较全面的测试结构设计规范，完成测试样品的物理结构、
版图结构和制造的设计。
关键词：二氧化硅1／f噪声 电离辐照测试结构预测
ABSlRACT
ABSTRACT
in
Silicon afamiliarkindofdielectricmaterials circuits
dioxide(si02)is integrate
the which tO in
alsois isthemostliableradiation MOSdevices
Oc)，and part damage
and researchradiationeffect dielectricmaterialwould
on of
IC．Therefore，the SiOa
ensurethe ofMOSdevicesandIC，whichareusedinthenuclearradiation
reliability
with inthe
environment．Thenoiseis interrelatedtheinnerdefectsmaterialsand
nearly
couldbeusedas nondestructive is
a evaluation
devices，and t001．Moreover,Si02
insulatedmaterial．Fortheresearchonradiation-resistantof dielectric
SiOz
capability
of could to
material．aj(ind besensitivereflectitsradiation
structta-es,which
sample
and tomeasureits
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