无飘移电迁移理论（扩散产生复合俘获理论）.pdfVIP

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无飘移电迁移理论（扩散产生复合俘获理论）.pdf

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维普资讯第 29卷第 5期半导体学报 Vo1．29 No．5 2008年 5月 JOURNAL oFSEM ICoNDUCToRS May，2008 TheDriftlessElectromigrationTheory (Diffusion。G·eneration--Recombination--TrappingTheory) SahChih．Tang，，。，’andJieBinbin3，’ (1ChineseAcademyofSciences，ForeignMember，Beifing 100864，China) (2UniversityofFlorida，Gainesville，Florida 32605，USA) (3PekingUniversity，Beijing 100871，China) Abstract：Electromigration isthetransportofatomsinmetalconductorsathighelectroniccurrent．densitieswhichcreates voidsintheconductorsandincreasestheconductors’electricalresistance．Itwasdelineatedin 1961byHuntington：then modeledbytheempiricalelectricalresistanceformuladerivedbyBlackin1969tofitthedependencesoftheexperimental electricalresistanceandfailuredataontheelectricalcurrentdensityandtemperature．Tanin2007reviewed40．years’aD． plicationsoftheempiricalBlackformulatoconductorlinesinterconnectingtransistorsandotherdevicesinsilicon inte． gratedcircuits．SincethefirstLandauertheoryin 1957，theoristshaveattemptedfor50yearstoiustifythedriftforceor electronmomentum transferassumedbyBlackassomeelectron．windforcetoimpartonthemetalatomsandionstomove them ．Landauerconcludedin1989thattheelectron windforceisuntenableevenconsideringthemostfundamentaland completemany-bodyquantum transporttheory．A driftlessorelectron-windlessatomicvoid modelformetalconductor linesisreviewedinthisarticle．Itwasdevelopedinthemid．1980anddescribedin 1996bySah in ahomework solution． Thismodelaccountsforallthecurre