第四章场效应管放大电路2.ppt

作业 课后习题：6、7、8 2．伏安特性与参数 2 4 0 6 10 20 可 变 电 阻 区 放大区 截止区 a．输出特性曲线 b．转移特性曲线 函数表达式 转移特性曲线 0 工作于放大区时 增强型与耗尽型管子的区别： 耗尽型： 增强型： 当 时，没有导电沟道 当 时，导电沟道消失 MOSFET符号 增强型 耗尽型 G S D S G D P沟道 G S D N沟道 G S D * 第四章 场效应管放大电路 第四章 场效应管放大电路 4.1 结型场效应管 4.2 绝缘栅场效应管 4.3 场效应管的主要参数 4.4 场效应管的特点 4.5 场效应管放大电路 N沟道JFET P沟道JFET 结型场效应管分 回顾 一、分类 二、工作原理 G D S 1）UGS对导电沟道的影响 2）UDS对导电沟道的影响 3）UDS和UGS对沟道电阻和漏极电流的影响 场效应管为电压控制型的器件。 三、特性曲线 在正常情况下，iG ≈0，管子无输入特性。 + + – – 1．输出特性（漏极特性） + + – – 特性曲线 2 4 0 6 10 20 可 变 电 阻 区 放大区 截止区 2 4 0 6 10 20 可 变 电 阻 区 (1) 可变电阻区 a. 固定UGS，电流ID随UDS增大而线性上升，相当于线性电阻 b.改变UGS，特性曲线斜率变化，阻值不同 c. 管子相当于受uGS控制的压控电阻 各区的特点： 放大区 (2) 放大区 放大区也称为饱和区、恒流区。 a. iD几乎与uDS无关。 b. 沟道予夹断 c. iD只受uGS的控制。 2 4 0 6 10 20 截止区 a. uGS＜Up (3) 截止区 b.沟道完全夹断 c. iD≈0 2 4 0 6 10 20 例 在图示电路中，已知场效应管的 ；问在下列三种情况下，管子分别可能工作在哪个区？ （b） （c） （a） G D S 解（a）因为uGSUP , 管子工作在截止区。 （b） 管子工作在放大区。 （c）管子工作在可变电阻区。 2．转移特性 表示场效应管的uGS对iD的控制特性。 定义 转移特性曲线可由输出特性曲线得到 ? ? ? ? （1）对于不同的uDS，所对应的转移特性曲线不同。 曲线特点： （2）当管子工作于恒流区时，转移特性曲线基本重合。 ? ? 转移特性表示： 称为零偏漏极电流 4.2 绝缘栅型场效应管 N沟道 IGFET 耗尽型 增强型 P沟道 N沟道 P沟道 绝缘栅型场效应管的类别 一、N沟道增强型MOS管 1. 结构示意图 g s d N+ N+ SiO2保护层 Al b P P N+ S G D N+ 以P型半导体作衬底 形成两个PN结 SiO2保护层 引出两个电极 引出两个电极 引出栅极 Al 从衬底引出电极 两边扩散两个高浓度的N区 P N+ S G D N+ SiO2保护层 Al 故又称为MOS管 管子组成： a. 金属 （Metal) b. 氧化物 (Oxide) c.半导体(Semiconductor) 2. 工作原理 电路连接图 P N+ S G D N+ – + + – (1) uGS =0 ,uDS≠0 源极和漏极之间始终有一个PN结反偏，iD=0 P N+ S G N+ iD=0 D – + + – P N+ S G N+ iD=0 D – + + – 2．uGS 0 ,uDS =0 产生垂直向下的电场 P N+ S G N+ iD=0 D – + + – 电场排斥空穴 形成耗尽层 吸引电子 P N+ S G N+ iD=0 D – + + – 形成导电沟道 当uGS =UT时 出现反型层 P N+ S G N+ iD=0 D – + + – UT—开启电压 N沟道增强型MOS管，简称NMOS N沟道 2．伏安特性与参数 a．输出特性 可 变 电 阻 区 放大区 截止区 输出特性曲线 2 4 0 6 10 20 (1) 可变电阻区 a. uDS较小 b.管子相当于受uGS控制的压控电阻 各区的特点： 可 变 电 阻 区 2 4 0 6 10 20 G S D (2) 放大区(饱和区、恒流区) uGSUT形成导电沟道 iD几乎与uDS无关,只受uGS的控制 放大区 2 4 0 6 10 20 G S D uGS增大，沟道变宽，沟道电阻变小，iD也增大 截止区 a. uGS＜UT (3) 截止区 b. 未形成导电沟道 c. iD=0 2 4 0 6 10 20 管子工作于放大区时函数表达式 b．转移特性曲线 式中，K为与管子有关的参数 0 转移特性曲线 例 图示为某一增强型N