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一种高可靠电机功率驱动电路 　　以分立器件为核心，基于H桥PWM控制原理，采用厚膜混合集成电路工艺实现，设计一款大功率直流电机驱动电路，该电路可以较好满足直流电机的正反转控制和速度大小控制需要，产品质量等级高。经过实际应用表明，产品具有导热性能好、驱动能力强、效率高、环境适应性强等特点。 　　直流电机具有优良的调速特性，过载能力强，可实现频繁的快速启动、制动和反转。因此直流电机得到广泛的应用。 　　而同时，直流电机驱动方式及设计也是各式各样，大部分采用电机专用驱动芯片进行设计，而本文主要介绍一款基于厚膜混合集成电路工艺进行制作，采用分立器件进行设计的H桥厚膜功率驱动电路，而且通过三极管的开通关断时间来控制死区时间。产品适应性强，广泛运用与运动控制[1]领域。 　　1电机功率驱动器的总体设计 　　电路通过栅极驱动电路控制H桥中四个功率开关管的导通截止时序，并通过调节TTL信号的占空比，控制输出回路电流的大小和方向，从而达到控制电机转动方向和转动速度的目的。电路分为信号隔离电路、栅极驱动电路、死区控制电路、H桥电路。 　　图 1 总体设计 　　2 H桥功率驱动器的控制原理 　　直流电机驱动使用最广泛的就是H桥驱动方式，这种驱动电路方便实现直流电机的四象限运行，分别对应正反转、制动等[2]。H桥驱动电路的原理如图2所示，组成H桥驱动电路的4只开关管工作在斩波状态，K1、K3是一组，K2、K4是一组，这两组状态交替发生，当一组导通时，另外一组必须截止。当K1、K3导通时，K2、K4截止，电机两端施加正向电压实现电机的正转或反转制动；当K2、K4导通时，K1、K3截止，电机两端施加反向电压，电机反转或正转制动。 　　图 2 H桥工作原理 图 3 H桥设计 图 4 驱动电路设计 　　组成H桥驱动电路的4只开关管工作在斩波状态，K1、K3是一组，K2、K4是一组，这两组状态交替发生，当一组导通时，另外一组必须截止。当K1、K3导通时，K2、K4截止，电机两端施加正向电压实现电机的正转或反转制动；当K2、K4导通时，K1、K3截止，电机两端施加反向电压，电机反转或正转制动。 　　此文介绍的电路针对H桥设计，主要采用NMOSFET和PMOSFET的思路，上桥臂采用PMOSFET，下桥臂采用NMOSFET。具体见图3。 　　驱动部分是采用分立器件搭建，具体见图4。 　　驱动电路部分与前级逻辑信号部分采用光耦隔离，可降低功率部分对信号部分的干扰。 　　输入信号通过隔离进入后级，并经过电阻、三极管、稳压管等进一个放大信号，从而驱动后级的MOSFET。输入1为低电平时，光耦输出为低，T2截止，M2导通，同时，T1由于施加电压而导通，M1截止。当输入1为高电平时，光耦输出为高电平，T2导通，M2截止，同时，T1截止，M1导通。而电路的另一半，刚好相反。 　　3 死区时间控制 　　理论上，K1和K2不可能同时导通，但实际上，由于输入逻辑信号的不稳定性和工艺上可能存在的偏差，K1和K2可能同时开启而发生同桥臂共通的现象，即在极短时间内将有一个很大的电流直接从电源流经到地。为了避免同桥臂共通的现象发生，在状态转换期间应从设计上引入一段时间，在该段时间内，K1和K2同时关断，这个时间就是死区时间[3]。死区时间的设置主要考虑两种状态，主要是K1上升沿和K2下降沿的死区时间，K1下降沿和K2上升沿的死区时间。 　　在此电路设计中，死区时间主要通过T1、T2、K1、K2共同作用来产生。T1和T2的开通关断时间、K1和K2的上升沿和下降沿共同决定死区时间的大小。而K1和K2的上升沿和下降沿基本都在ns级别，相对较小，所以在电路设计中主要通过T1和T2控制死区时间。要求T1开通慢、关断快，T2开通快、关断慢，这样才能有利于死区时间的设置。 　　但总体而言，死区时间不能设置过大，会影响产品的效率，设置过小会造成产品出现共通现象。此电路要求死区时间为1μs～5μs。 　　4 高可靠质量等级设计要求 　　功率驱动器工作电流要求达到40A以上。采用传统的pcb工艺设计，也可以满足指标要求，但是产品体积大、可靠性低、适用性受局限。故采用厚膜混合集成电路生产技术制造，主要工艺分为厚膜基板成膜工艺和厚膜微组装工艺。厚膜基板成膜工艺是指采用丝网印刷、烘干、烧结工艺将厚膜浆料印制在基片上形成一定功能电路的技术。其主要工序包括网版制备、丝网印刷、烘干、烧结。厚膜电路微组装工艺，是指采用粘（焊）接、键合、封口、检漏等工艺，在厚膜基板上组装集成电路裸芯片、片式电阻、电容、电感等元器件，再外加金属外壳封装即为厚膜混合集成电路。 　　1） 结构及热设计。 　　考虑到产品的功率密度较大，采用钢材质的金属外壳和高导热率的ALN陶瓷基板。长期以来，绝大多数大功