半导体器件物理课件1.pdf

半导体器件物理 复旦大学微电子学系 王鹏飞 Email: pfw@fudan.edu.cn 2013-09 9:00-11:00 考试方式 ：论文提交 Contributors: Prof. Ting-Ao Tang, Prof. Dongping Wu, Prof. Yu-Long Jiang, Prof. Walter Hansch P.-F. Wang, Ting-Ao Tang Fudan University Advanced semiconductor devices and physics 2012.09 Resume 姓名：王鹏飞 （Peng-Fei Wang） 最高学位：工学博士，Dr.-Ing. ， 2003.12 u 1994-2001，复旦大学，本科及硕士。 u 2001-2003，德国慕尼黑工业大学，工学博士学位。 u 2004-2007，先后任德国Infineon / Qimonda公司模块负责人、系统专家等，以第一发明人发明多种存储器阵列、存 2 储器件以及4F 相变存储器（PCM）。 u 2008初-2009，发明多种器件并进行技术授权。 u 2009.7-至今, 复旦大学微电子学院，研究员 研发经历 u 发明并成功制成世界首个互补隧穿晶体管（CTFET ）； u Infineon / Qimonda 公司 58nm及48nm DRAM器件技术研发； 2 2 u 研究4F 相变存储器 (PCM)和6F 包括隧穿晶体管的PCM阵列； u 研究floating junction gate (FJG)器件，新型双浮栅存储器，以及全新的图像传感器器件。 U-shape device CTFET FinFET-DRAM P.-F. Wang, Ting-Ao Tang Fudan University Advanced semiconductor devices and physics 2012.09 半导体器件设计的地位 半导体技术IP 核心器件技术 IP 电路设计技术IP 工艺技术IP 其他技术IP 其他器件IP 存储器器 件 IP 独立DRAM IP NVM IP eDRAM IP P.-F. Wang, Ting-Ao Tang Fudan University Advanced semiconductor devices and physics 2012.09 半导体器件物理的地位 SST 发明split gate EEPROM， Saifan 发明NROM， ISi发明FBC