最新chap光刻与刻蚀工艺.pptVIP

光刻技术(photo lithography) 集成电路制造中利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。随着半导体技术的发展，光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2～3个数量级（从毫米级到钠米级），已从常规光学技术发展到应用电子束、 X射线、微离子束、激光等新技术；使用波长已从4000埃扩展到 0.1埃数量级范围。光刻技术成为一种精密的微细加工技术。 常规光刻技术是采用波长为2000～4500埃的紫外光作为图像信息载体，以光致抗蚀剂为中间（图像记录）媒介实现图形的变换、转移和处理，最终把图像信息传递到晶片(主要指硅片)或介质层上的一种工艺（图1）。在广义上，它包括光复印和刻蚀工艺两个主要方面。 ①光复印工艺：经曝光系统将预制在掩模版上的器件或电路图形按所要求的位置，精确传递到预涂在晶片表面或介质层上的光致抗蚀剂薄层上。 　 ②刻蚀工艺：利用化学或物理方法，将抗蚀剂薄层未掩蔽的晶片表面或介质层除去，从而在晶片表面或介质层上获得与抗蚀剂薄层图形完全一致的图形。集成电路各功能层是立体重叠的，因而光刻工艺总是多次反复进行。例如，大规模集成电路要经过约10次光刻才能完成各层图形的全部传递（见刻蚀工艺）。 　　在狭义上，光刻工艺仅指光复印工艺,即图1中从④到⑤或从③到⑤的工艺过程。 一、光刻的定义：光刻是一种图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工技术。 它是集成电路制造中最关键的一道工序。随着集成电路的集成度越来越高，特征尺寸越来越小，晶圆片面积越来越大，给光刻技术带来了很高的难度。尤其是特征尺寸越来越小，对光刻的要求更加精细。通常人们用特征尺寸来评价集成电路生产线的技术水平。 二、光刻的目的：光刻的目的就是在二氧化硅或金属薄膜上面刻蚀出与掩膜版完全对应的几何图形，从而实现选择性扩散和金属薄膜布线的目的。 三、在ULSI中对光刻的基本要求： 1、高分辨率：分辨率的表示方法：第一种是以每毫米最多能够容纳的线条数来表示。即线宽。条数/mm；第二种是以剥蚀后的二氧化硅尺寸减去光刻掩膜版的图形尺寸除以2表示。 2、高灵敏度：为了提高产量要求曝光所需要的时间越短越好，也就是要求灵敏度高。也称感光度，以光刻胶发生化学反应所需要的最小曝光量的倒数来表示。 3、精密的套刻对准 4、大尺寸硅片的加工 5、低缺陷 四、光刻三要素： 光刻胶、掩膜版和光刻机 8.1 光刻工艺流程 以负胶为例来说明这八个步骤，一般可分为： 打底膜-涂胶-前烘-曝光-显影- 后烘（坚膜）-腐蚀（刻蚀）-去胶。 一、打底膜（六甲基二硅亚胺HMDS） 目的：为了增强光刻胶与硅片之间的附着力。 六甲基二硅亚胺HMDS反应机理 二、涂胶 1.目的：在硅片表面形成厚度均匀、附着性强，并且没有缺陷的光刻胶薄膜。 2.质量要求 3.方法：滴涂法，喷涂法 4. 影响因数：转速，时间 三、前烘 1.目的：通过在较高温度下进行烘焙，可以使溶剂从光刻胶中挥发出来，从而降低灰尘的玷污,提高光刻胶与衬底的粘附力及胶膜的机械擦伤能力。 2.方法：烘箱法，热板式，干燥循环热风，红外线辐射等。 3.影响因素：温度和时间 四、曝光 1.目的：利用感光与未感光的光刻胶对碱性溶液的不同溶解度，就可以进行掩膜图形的转移。 2．曝光质量 3.曝光方式：分为光学曝光（接触式，接近式，投影式，直接分步重复曝光，）、X射线曝光、电子束曝光和离子束曝光后面章节将详细介绍。曝光时间、氮气释放、氧气、驻波和光线平行度都是影响曝光质量。 五、显影 目的：把曝光后在光刻胶层形成的潜在图形，进一步形成三维立体图形。 正胶：图形溶解。 负胶：图形保留。 六、坚膜 也称后烘。经显影以后的胶膜发生了软化、膨胀，胶膜与硅片表面粘附力下降。为了保证下一道光刻工序的顺利进行，必须要经过坚膜。 主要作用： 除去光刻胶层中剩余的溶剂; 增强光刻胶对硅片表面的附着力; 提高光刻胶在刻蚀和离子注入过程中的抗蚀性和保护能力。 七、刻蚀（见后面章节） 定义：用光刻方法制成的微图形，只给出了电路的行貌，并不是真正的器件结构。因此需将光刻胶上的微图形转移到胶下面的各层材料上去，这个工艺叫做刻蚀。 ? 目的：把经过曝光, 显影后的光刻胶微图形中下层材料的裸露部分去掉, 即在下层材料上重现与光刻胶相同的图形。 八、去胶 8.2 分辨率 用R表示，是对光刻工艺中可以达到的最小光刻图形尺寸的一种描述。表示每mm内能刻蚀出可分辨的最多线条数。 R=1/2L 线